位置:首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第23页 > REF02CS-REEL7 > REF02CS-REEL7 PDF资料 > REF02CS-REEL7 PDF资料4第14页

REF01/REF02/REF03
工作原理
REF01 , REF02和REF03是高精度,低漂移10.0 V ,
5.0 V和2.5V的基准电压源中的各种可用的
包。这些设备都是标准的带隙参考(见
图33)。带隙晶胞含有2个NPN晶体管的
( Q18和Q19 ),该不同的发射极面积的2倍
在V差
BE
这些晶体管的值产生一
比例 - 绝对温度通过电流( PTAT)的
R 14 ,并且当与V结合
BE
Q19 ,可生产带
间隙电压V
BG
即在整个温度范围几乎是恒定的。
与内部运算放大器和通过建立的反馈网络
R5和R6 ,V
O
设置正是在10.0 V , 5.0 V或2.5 V.精密
各种电阻器和其他专有电路激光微调
技术被用于进一步提高初始精度,
温度的曲率,并且该器件的漂移性能。
的PTAT电压直接从带隙带出,
无缓冲,在TEMP引脚。由于该电压输出具有
稳定的1.96毫伏/ ° C的温度系数,用户可以估计
该装置通过简单地监测的温度变化
电压变化在这个引脚。
V
IN
R1
Q1
R2
Q2
Q3
R3
Q23
Q7
Q8
Q9
D1
D2
Q4
D3
R12
R13
Q12
Q13
I1
R20
TRIM
Q14 Q15
2×
Q18
R27
温度
R14
R32
R24
R17
R11
R41
R42
GND
1×
Q19
Q16
Q20
Q17
R6
00375-033
而REF0x系列参考文献的设计能使其
稳定,无需任何外部元件,连接一个0.1 μF
陶瓷电容,输出强烈推荐
改善稳定性和滤除低电平电压噪声。一
额外的1 μF至10 μF电解电容,钽电容或陶瓷
电容器可以并行地加入,以改善瞬态响应和
曼斯响应于负载电流的突然变化;不过,
设计师应该记住,这样做会增加
接通该设备的时间。
A 1 μF至10 μF电解电容,钽电容或陶瓷电容
也可以连接到输入以改善瞬态
反应中的应用,如果电源电压可能波动。
另外一个0.1 μF陶瓷电容应连接
平行,以减少电源噪声。
输入和输出电容应安装在尽可能靠近
该器件引脚越好。
输出调整
该REF0x修剪终端可用于调整输出
或从内部调整,名义产出下降
电压。此功能允许系统设计者来修剪出
系统错误发生变化所致的线路和负载条件下,
热滞后,输出由于回流焊接,或其它偏移
错误源。基本微调电路结构示
在图35 。
表7还列出了从输出电压的范围获得
每个模型在此配置。
U1
R4
Q10
V
O
C1
R5
V
IN
REF01/
REF02/
REF03
V
IN
V
OUT
R1
470k
V
O
锅
10k
温度微调
GND
V
BG
图35.可选修剪调整线路
表7.调整范围使用调整电路
模型
REF01
REF02
REF03
V
OUT
,下限
9.70 V
4.95 V
2.3 V
V
OUT
,上限
10.05 V
5.02 V
2.8 V
图33. REF0x原理示意图
输入和输出电容器
图34示出了基本输入/输出电容器配置
为REF0x系列参考。
U1
REF01/
REF02/
REF03
V
IN
C1
0.1F
V
IN
V
OUT
V
O
C2
0.1F
输出的调整并不显著影响
基准本身的低温性能,提供了
使用的电阻器的温度系数是低的。
图34.基本REF0x电容配置
修订版K |第14页20
00375-034
温度微调
GND
00375-035
R2
1k