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GMII , MII , RMII , TBI , RGMII和RTBI AC时序规范
物理层设备规格1.2a版( 2000年9月22日) 。电特性的MDIO和MDC是
在指定的
第8.3节“以太网管理接口电气特性。 ”
8.1.1
10/100/1000以太网直流电气特性
此处指定的电气特性适用于媒体独立接口( MII),简化千兆位媒介无关
接口( RGMII ) ,降低的10位接口( RTBI ) ,降低的介质无关接口(RMII )的信号,管理数据
输入/输出( MDIO)和管理数据时钟(MDC) 。
信息产业部和RMII接口定义为3.3 V ,而RGMII与RTBI接口,可以在2.5 V的RGMII操作
和RTBI接口遵循
降低了千兆媒体独立接口( RGMII )规范版本1.3 。
在RMII
界面如下
RMII联盟RMII规范版本1.2 。
表25. RGMII / RTBI , GMII , TBI , MII , RMII和直流电气特性(在3.3 V操作)
参数
电源电压3.3 V
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入电流
符号
LV
DD
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IN
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 4.0毫安
0 V
V
IN
LV
DD
条件
LV
DD
=分钟
LV
DD
=分钟
2.97
2.40
GND
2.0
–0.3
最大
3.63
LV
DD
+ 0.3
0.50
LV
DD
+ 0.3
0.90
±10
单位
V
V
V
V
V
μA
笔记
1
注意:
那些不需要的RGMII , RMII ,或RTBI操作1. GMII / MII引脚由OV供电
DD
供应量。
表26. RGMII / RTBI直流电气特性(在2.5 V操作)
参数
电源电压2.5 V
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入电流
符号
LV
DD
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IN
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 1.0毫安
条件
LV
DD
=分钟
LV
DD
=分钟
LV
DD
=分钟
LV
DD
=分钟
0 V
V
IN
LV
DD
2.37
2.00
GND - 0.3
1.7
–0.3
最大
2.63
LV
DD
+ 0.3
0.40
LV
DD
+ 0.3
0.70
±10
单位
V
V
V
V
V
μA
8.2
GMII , MII , RMII , TBI , RGMII和RTBI AC时序规范
在AC时序规范GMII ,信息产业部,脑外伤, RGMII和RTBI载于本部分。
8.2.1
GMII时序规范
这部分描述了GMII发送和接收AC时序规范。
MPC8360E / MPC8358E的PowerQUICC II Pro处理器版本2.x的TBGA硅硬件规格修订版5
26
飞思卡尔半导体公司

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