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DDR和DDR2 SDRAM直流电气特性
6.1
DDR和DDR2 SDRAM直流电气特性
表14. DDR2 SDRAM直流电气特性的GV
DD
（典型值）= 1.8 V
参数/条件
符号
GV
DD
MV
REF
V
TT
V
IH
V
IL
I
OZ
I
OH
I
OL
I
VREF
I
IN
民
1.71
0.49
×
GV
DD
MV
REF
– 0.04
MV
REF
+ 0.125
–0.3
—
–13.4
13.4
—
—
最大
1.89
0.51
×
GV
DD
MV
REF
+ 0.04
GV
DD
+ 0.3
MV
REF
– 0.125
±10
—
—
±10
±10
单位
V
V
V
V
V
μA
mA
mA
μA
μA
笔记
1
2
3
—
—
4
—
—
—
—
此表提供了建议的操作条件为设备时的DDR2 SDRAM组分
GV
DD
（典型值） = 1.8 V.
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
输入高电压
输入低电压
输出漏电流
高输出电流（V
OUT
= 1.420 V)
输出低电流（V
OUT
= 0.280 V)
MV
REF
输入漏电流
输入电流（0V
≤
IN
≤
OV
DD
)
V
注意事项：
1. GV
DD
预计将在50毫伏的DRAM的拍摄画面GV的
DD
在任何时候。
2. MV
REF
预计相当于0.5
×
GV
DD
和跟踪GV
DD
DC变动，在接收端进行测量。峰峰值噪声
在MV
REF
不能超过DC值的±2％。
3. V
TT
不直接向设备施加。它是哪个远端信号的终止是由供给和预计等于
MV
REF
。这条铁路应该跟踪变化， MV的直流电平
REF
.
4.输出泄漏测量时，所有输出关闭， 0 V
≤
V
OUT
≤
GV
DD
.
下表提供了DDR2的电容时， GV
DD
（典型值） = 1.8 V.
表15. DDR2 SDRAM容量为GV
DD
（典型值）= 1.8 V
参数/条件
输入/输出电容： DQ ， DQS ， DQS
三角洲输入/输出电容： DQ ， DQS ， DQS
符号
C
IO
C
DIO
民
6
—
最大
8
0.5
单位
pF
pF
笔记
1
1
注意：
1.该参数进行采样。 GV
DD
= 1.8 V± 0.090 V，F = 1 MHz时，T
A
= 25 ° C，V
OUT
= GV
DD
/2, V
OUT
（峰 - 峰值） = 0.2V。
此表提供了建议的操作条件为设备时的DDR SDRAM组分
GV
DD
（典型值） = 2.5 V.
表16. DDR SDRAM直流电气特性的GV
DD
（典型值）= 2.5 V
参数/条件
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
符号
GV
DD
MV
REF
V
TT
民
2.375
0.49
×
GV
DD
MV
REF
– 0.04
最大
2.625
0.51
×
GV
DD
MV
REF
+ 0.04
单位
V
V
V
笔记
1
2
3
MPC8360E / MPC8358E的PowerQUICC II Pro处理器版本2.x的TBGA硅硬件规格修订版5
飞思卡尔半导体公司
19
