LTC1871
应用信息
在MOSFET的导通时间，控制电路限
穿过功率MOSFET的最大电压降，以
大约为150mV （低占空比）。峰值电感电流
因此，仅限于为150mV / R
DS （ ON）
。关系
最大负载电流，占空比和间
R
DS （ ON）
功率MOSFET的是：
R
DS （ ON）
V
SENSE （ MAX）
I
O（最大值）
1+
1
2
T
由MOSFET的SEPIC转换器的功耗
是：
D
P
FET
=
I
O（最大值）
最大
1– D
最大
+
K = V
IN（分钟）
+
V
O
2
R
DS （ ON）
D
最大
T
1
V
O
+
V
D
+
1
V
IN（分钟）
(
D
)
1.85
I
O（最大值）
1–
最大
C
RSS
f
D
最大
在V
SENSE （ MAX）
术语通常为150mV ，在低占空比
并降低到约100mV的在由于92 ％的占空比
斜率补偿，如图8恒定
在分母' χ '表示的纹波电流
电感器相对于它们的最大电流。例如，
如果选择了30％的纹波电流，然后
χ
= 0.30 。该
ρ
T
TERM
占R的温度COEF音响cient
DS （ ON）
of
在MOSFET ，它通常是0.4 ％/ ℃。图9示出
归一化R的变化
DS （ ON）
在温度
一个典型的功率MOSFET 。
选择的另一种方法，其功率MOSFET
用途是检查什么的最大输出电流为一
给定的R
DS （ ON）
由于MOSFET的导通电阻可
在离散值。
I
O（最大值）
V
SENSE （ MAX）
R
DS （ ON）
1+
1
2
T
上面的第一个网络术语公式中代表我
2
R
在该装置和所述第二术语的开关损耗
损失。常数k = 1.7是成反比的经验系数
相关的栅极驱动电流，并具有维
的1 /电流。
从已知的功率消耗在功率MOSFET ，其
可以使用下面得到的结温
公式：
T
J
= T
A
+ P
FET
R
日（ JA ）
第r
日（ JA ）
在这个等式中所使用通常包括
第r
TH （JC）
该设备加上从热阻
董事会对环境温度的外壳。
的T这个值
J
然后，可以使用查询的原始
假设在迭代结温
计算处理。
SEPIC转换器：输出二极管的选择
为了最大限度地提高外汇基金fi效率，低快速开关二极管
正向压降和低反向漏电流需要。输出
在SEPIC转换器二极管导通电流在
开关的关断时间。峰值反向电压的二极管
必须能承受等于V
IN （MAX）
+ V
O
。平均
在正常操作中的正向电流是等于输出
电流，峰值电流等于：
I
D（峰）
=
1+
2
I
O（最大值）
V
O
+
V
D
+
1
V
IN（分钟）
1
V
O
+
V
D
+
1
V
IN（分钟）
计算功率MOSFET的开关和传导
损耗和结温
为了计算的结温
功率MOSFET ，由设备消耗的功率必须
是已知的。这个功耗的功能
占空比，负载电流和结温
本身。其结果是，一些迭代计算通常是
需要确定一个合理的准确值。自
所述控制器使用MOSFET作为两个开关
和感测元件，应小心以确保
该转换器能够提供所需
在所有工作条件下的负载电流（负载，线路和
温度）和最坏情况下的特定网络连接的阳离子为
V
SENSE （ MAX）
和R用
DS （ ON）
在所列出的MOSFET的
制造商的数据手册。
由二极管所消耗的功率是：
P
D
= I
O（最大值）
V
D
和二极管结温为：
T
J
= T
A
+ P
D
R
日（ JA ）
第r
日（ JA ）
在这个等式中所使用通常包括
第r
TH （JC）
该设备加上从热阻
董事会对环境温度的外壳。
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