LM5050-2
SNVS679B - 2010年11月 - 修订2013年3月
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如果MOSFET电流减小到MOSFET两端的电压下降到低于V中的点
SD （ REG ）
27 mV（典型值）的电压调节点， GATE引脚电压会下降，直至在整个电压
MOSFET稳定在27毫伏。如果漏极 - 源极电压大于V
SD （ REG ）
电压的栅极到源极
会增加，最终达到12V的门齐纳钳位电平。
如果MOSFET的电流反向，这可能是由于输入电源的故障，以使得在整个电压
LM5050-2 IN和OUT引脚比V更负
SD （ REV ）
-27 mV（典型值）的电压时， LM5050-2会
通过强大的大门IN引脚放电晶体管迅速放电MOSFET栅极。
如果输入电源突然发生故障时，如当电源直接对地短路将发生，反向电流
将通过MOSFET暂时流动，直到栅极可以被完全放电。这种反向电流提供了源
从输出负载电容和从并行连接的耗材。该LM5050-2响应一个电压
反转的条件通常在27纳秒。以关断MOSFET所需的实际时间将取决于
由MOSFET的栅极电容保持电荷被使用。 47 nF的有效栅的MOSFET
电容可以在典型的205毫微秒关闭。这种快速的关断时间减少电压扰动的
输出，以及从冗余电源的电流瞬变。
关闭PIN码和密码nFGD
该OFF端子为逻辑电平输入引脚，用于控制所述栅极驱动器向外部MOSFET的场效应管
测试模式。该引脚上的最大工作电压为5.5V 。该nFGD引脚是开漏输出引脚
支持一个逻辑电平电压。该引脚上的最大工作电压为5.5V 。
当关断引脚为高电平时，MOSFET被关断（独立于所感测的IN和OUT的电压）和
FET测试模式被激活。在这种模式下，负载电流将流过MOSFET的体二极管。该
IN引脚和输出引脚之间的电压差约为700毫伏，如果MOSFET的操作
一般通过体二极管。该LM5050-2的FET的测试比较器监视IN到OUT引脚的电压
一起一伏的区别
SD （TST）
350 mV的阈值（典型值） 。如果IN脚到OUT引脚的电压差大于
该阈值， nFGD销将切换到低阻抗状态，并且nFGD引脚电压将处于逻辑低电平。
如果MOSFET短路，那么IN引脚和输出引脚之间的电压差将小于所述
V
SD （TST）
门槛。在这种情况下， nFGD针将保持在高阻抗状态，和所述引脚的电压可以是
通过一个外部上拉电阻拉高。
在正常工作时OFF引脚必须被拉低（或悬空） 。在这种模式下， GATE引脚电压将
取决于正向或反向穿过MOSFET的源极电压施加到漏极，如前所述。
在OFF引脚有5 μA （典型值）的内部上拉下来。如果不需要的关闭功能，该销可以左
开或接地。
而OFF端子为低时， nFGD销将始终处于一个高阻抗开路状态。
几种因素能够防止nFGD销从指示该外部MOSFET运行正常。如果
LM5050-2是用来连接平行的，冗余电源，在连接电源中的一个可持
OUT引脚的电压足够接近LM5050-2 IN引脚电压的V
SD （TST）
没有超过阈值。
此外，具有高输出电容值和低负载电流下，可能需要一个显著
时间的输出电容之前量被排出到的点在V
SD （TST）
超过阈值时
和nFGD脚变低。
C
负载
PS1
IN
走出门
R
负载
LM5050-2
GND
C
OUT
PS2
IN
走出门
LM5050-2
GND
图21.典型连接
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