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8ETX06 ， 8ETX06S ， 8ETX06-1 ， 8ETX06FP
公告
PD- 20766转。 09/06
10
热阻抗Z
thJC
（ ° C / W）
1
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
单脉冲
（热电阻）
P
DM
t1
t2
0.1
注意事项：
1.占空比系数D = T1 / T2
2.峰值TJ = PDM X ZthJC +锝
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 5 - 最大。热抗Z
thJC
特性（ FULLPACK ）
180
允许外壳温度（ ℃）
允许外壳温度（ ℃）
180
160
140
120
100
80
额定Vr的应用
60
40
0
2
4
6
8
10
12
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 7 - 马克斯。允许外壳温度
与平均正向电流（ FULLPACK ）
见说明（ 3 ）
方波（ D = 0.50 ）
170
160
150
140
方波（ D = 0.50 ）
额定Vr的应用
DC
DC
130
见说明（ 3 ）
120
0
2
4
6
8
10
12
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 6 - 马克斯。允许外壳温度
与平均正向电流
20
平均功耗（瓦）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
RMS限制
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
(3)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗=
I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D)
（参照图8 ）;
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
(1 - D);
I
R
@ V
R1
=额定V
R
2
4
6
8
10
12
14
图。 8 - 正向功率损耗特性
4
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