IRF3205Z/ZS/ZL
特点
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
G
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 6.5mΩ
描述
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。附加功能
这种设计的是一个175 ℃的结操作
温度，开关速度快，提高了
重复雪崩额定值。这些功能
相结合，使这种设计非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
S
I
D
= 75A
TO-220AB
IRF3205Z
D
2
PAK
IRF3205ZS
马克斯。
110
78
75
440
170
TO-262
IRF3205ZL
单位
A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
I
DM
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
线性降额因子
V
GS
栅极 - 源极电压
E
AS （限热）
单脉冲雪崩能量
单脉冲雪崩能量测试值
E
AS
（测试）
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
d
1.1
± 20
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
h
180
250
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
g
i
°C
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅的（ 1.1N M）
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到散热器，平板油脂润滑表面
结到环境
y
y
典型值。
马克斯。
0.90
–––
62
40
单位
° C / W
i
i
–––
0.50
–––
–––
结到环境（印刷电路板安装）
j
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