INA199A1 ， INA199B1
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SBOS469D - 2009年5月 - 修订2012年11月
倘若低功率齐纳二极管不具有足够的瞬态吸收能力和较高的功率
的TransZorb必须使用的，最包高效的解决方案则涉及到使用一个单一的TransZorb和后端用于─
该器件输入端之间回来二极管。这种方法示于
图25 。
在空间效率最高的解决方案
是双串联二极管在一个单一的SOT- 523或SOD- 523封装。在显示这两个例子
图24
和
图25中的
与所有的保护元件所要求的INA199总板面积小于
这是SO- 8封装的，只有比采用MSOP -8封装的稍大。
供应
R
分流
负载
R
保护
10W
参考
电压
R
保护
10W
REF
OUT
产量
GND
1MW
R
3
IN-
关闭
控制
C
绕行
V+
1MW
R
4
IN +
图25. INA199瞬态保护使用单个的TransZorb和输入钳位
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