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TMS470R1A288
16位/ 32位RISC闪存微控制器
SPNS106B - 2005年9月 - 修订2006年8月
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输入时序
时序要求输入时序
(1)
（见
图12）
民
t
pw
(1)
输入最小脉冲宽度
t
C（ ICLK ）
=接口时钟周期时间= 1 /女
（ ICLK ）
t
pw
输入
20%
80%
80%
20%
V
CC
最大单位
ns
t
C（ ICLK ）
+ 10
0
图12. CMOS电平输入
FLASH时序
时序要求闪存程序
(1)
民
t
prog(16-bit)
t
PROG （总）
t
擦除（部门）
t
WEC
t
FP （ RST ）
t
FP （ SLEEP ）
t
FP （ STANDBY ）
(1)
(2)
半字（ 16位）的编程时间
288K字节编程
扇区擦除时间
写/擦除周期在T
A
= -40 ° C至125°C
闪光灯泵浦稳定时间从RST睡觉
最初的闪光灯泵浦稳定时间从休眠到待机
最初的闪光灯泵浦稳定时间从待机状态ACTIVE
50000
134t
C（ SYS ）
134t
C（ SYS ）
67t
C（ SYS ）
时间
(2)
4
典型值
16
2
1.7
最大
200
8
单位
s
s
s
周期
ns
有关闪存核心部门的更多详细信息，请参阅
Flash编程和擦除
本数据手册的部分。
在288K字节编程时间包括状态机的开销。
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