数据表
N0201S
NPN硅外延型晶体管
R07DS0719EJ0100
Rev.1.00
2012年3月30日
特点
补充到N0201R 。
V
首席执行官
= 30 V
I
C（ DC ）
= 1.0 A
微型封装SOT- 23F （ 2SD999 ： 3pPoMM的包装变化）
产品阵容
产品型号
N0201S-T1-AT
填料
带3000P /卷
包名称
SOT-23F
封装代码
PVSF0003ZA-A
质量[ TYP 。 ]
0.0126g
绝对最大额定值（T
a
= 25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
*
1
符号
评级
V
CBO
30
V
首席执行官
25
V
EBO
5.0
I
C（ DC ）
1.0
I
C（脉冲）
1.5
总功耗
P
T1
0.2
2
总功耗
*
P
T2
1.0
结温
T
j
150
储存温度
T
英镑
55
to
150
记
*1.
PW
10毫秒，占空比
50%
2
*2.
FR- 4电路板尺寸2500毫米
1.6毫米，T
5秒
单位
V
V
V
A
A
W
W
C
C
电气特性（T
a
= 25C)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
基地发射极电压
增益带宽积
输出电容
记
*1.
脉冲
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
*
1
h
FE2
*
1
V
CE （ SAT ）
*
1
V
BE （ SAT ）
*
1
V
BE
*
1
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 100毫安
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 1.0 A
I
C
= 1.0 A，I
B
= 100毫安
I
C
= 1.0 A，I
B
= 100毫安
V
CE
= 6.0 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 6.0 V，I
E
=
10
mA
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
400
0.4
1.2
700
单位
nA
nA
90
50
200
140
0.21
1.0
630
100
18
V
V
mV
兆赫
pF
600
h
FE
分类
记号
hFE1
CM
90至180
CL
135 270
CK
200至400
R07DS0719EJ0100 Rev.1.00
2012年3月30日
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