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NTLUS3A40PZ
典型特征
100
I
D
,漏电流( A)
10
ms
10
100
ms
1毫秒
1
V
GS
=
8
V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
10毫秒
0.1
dc
0.01
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
R(T ),有效瞬态热响应
图13.最大额定正向偏置
安全工作区
80
70
60
50
40
30
20 0.2
10 0.1
0
1E06
1E05
1E04
0.05
0.02
0.01
占空比= 0.5
R
qJA
= 72_C / W
单脉冲
1E03
1E02
T,时间(S )
1E01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
图14. FET热响应
设备订货信息
设备
NTLUS3A40PZTAG
NTLUS3A40PZTBG
UDFN6
(无铅)
UDFN6
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
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