2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
表6 ：
变体系
I
覆盖整个院落
I
载文信息
地址
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
数据
0027H
1
0030H
1
0036H
0000H
0000H
0004H
0000H
0004H
0006H
0001H
0000H
0001H
0001H
数据
V
DD
分钟。 （编程/擦除）
DQ
7
-DQ
4
：电压， DQ
3
-DQ
0
： 100毫伏
V
DD
马克斯。 （编程/擦除）
DQ
7
-DQ
4
：电压， DQ
3
-DQ
0
： 100毫伏
V
PP
分钟。 （ 00H =无V
PP
针）
V
PP
最大。 （ 00H =无V
PP
针）
典型的超时为字编程2
N
s (2
4
= 16 s)
典型的超时时间为分钟。大小的缓冲区方案2
N
微秒（ 00H =不支持）
典型的超时个别部门/块擦除2
N
MS（ 2
4
= 16毫秒）
典型的超时为芯片擦除2
N
MS（ 2
6
= 64毫秒）
最大超时的字编程2
N
时代的典型（ 2
1
x 2
4
= 32 s)
最大超时缓冲区方案2
N
时代典型
最大超时个别部门/块擦除2
N
时代的典型（ 2
1
x 2
4
= 32毫秒）
最大超时芯片擦2
N
时代的典型（ 2
1
x 2
6
= 128毫秒）
T6.2 360
为
SST39LF200A/400A/800A
和
SST39VF200A/400A/800A
1. 0030H为SST39LF200A / 400A / 800A和0027H的SST39VF200A / 400A / 800A
表7 ：D
EVICE
G
EOMETRY
I
载文信息
地址
27H
28H
29H
2AH
2BH
2CH
2DH
2EH
2FH
30H
31H
32H
33H
34H
数据
0012H
0001H
0000H
0000H
0002H
003FH
0000H
0010H
0000H
0003H
0000H
0000H
0001H
为
SST39LF/VF200A
数据
器件尺寸= 2
N
字节（ 12H = 18 ; 2
18
= 256千字节）
闪存设备接口描述; 0001H = X16仅异步接口
字节的多字节写最大数目= 2
N
（ 00H =不支持）
支持的设备擦除扇区/块大小数
部门信息（y + 1 =扇区数; ZX = 256B扇区大小）
Y = 63 + 1 = 64个扇区（ 003FH = 63 ）
Z = 16× 256字节= 4千字节/扇区（ 0010H = 16 ）
块信息（y + 1 =块数目; ZX 256B =块大小）
Y = 3 + 1 = 4块（ 0003H = 3 ）
Z = 256× 256字节= 64千字节/块（ 0100H = 256）
T7.2 360
2001硅存储技术公司
S71117-04-000 6/01
360
9
