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2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
TRC
地址AMS- 0
TAA
CE#
TCE
OE #
VIH
WE#
TOLZ
TOE
tOHZ
TCHZ
高-Z
数据有效
DQ15-0
高-Z
TCLZ
TOH
数据有效
注意:
AMS =最显著地址
AMS = A16的SST39LF / VF200A ,而A17为SST39LF / VF400A A18的SST39LF / VF800A
360 ILL F03.2
图3 :v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
内部程序操作开始
TBP
地址AMS- 0
5555
TAH
TWP
WE#
TAS
OE #
总胆固醇
CE#
TCS
DQ15-0
XXAA
SW0
注意:
XX55
SW1
XXA0
SW2
数据
(地址/数据)
TWPH
TDS
2AAA
5555
ADDR
TDH
360 ILL F04.4
AMS =最显著地址
AMS = A16的SST39LF / VF200A ,而A17为SST39LF / VF400A A18的SST39LF / VF800A
X可以为VIL或VIH ,但没有其他价值。
图4 : WE#
ONTROLLED
P
ROGRAM
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
2001硅存储技术公司
S71117-04-000 6/01
360
15

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