SMD型
晶体管
二极管
IC
晶体管
T
产品speci fi cation
KTC4377
SOT-89
单位：mm
1.50 ±0.1
■
特点
●
集电极耗散功率：P
C
=500mW
●
集电极电流：I
C
=2A
4.50±0.1
1.80±0.1
1
0.48±0.1
2
3
0.80±0.1
0.44±0.1
0.53±0.1
3.00±0.1
0.40±0.1
2.60±0.1
2.50±0.1
4.00±0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
10
6
2
500
150
-55到150
单位
V
V
V
A
mW
℃
℃
■
电气特性TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
测试Conditons
I
C
= 1mA时，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 1mA时，我
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=500mA
V
CE
= 1V ，我
C
=2A
I
C
= 2A ，我
B
=50mA
V
CE
= 1V ，我
C
=2A
V
CE
= 1V ，我
C
=500mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
150
27
140
70
140
0.5
1.5
V
V
兆赫
pF
民
30
10
6
100
100
600
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
■
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
SA
A
140½240
SB
B
200½330
SC
C
300½450
SD
D
420½600
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