绝对最大额定值

[1]

T

A

= 25° C

符号

V

dd

国际直拨电话

VSD

P

in

P

in

P

d

T

j

T

英镑

热阻

[3]

单位

V

mA

V

DBM

DBM

mW

°C

°C

参数

漏极电压， RF输出到地

漏电流

关断电压

CW RF输入功率与低噪声放大器在

CW RF输入功率与低噪声放大器关闭

功耗

结温

储存温度

绝对最大

5.5

100

5.5

27

27

550

150

-65到150

（VD = 4.8 V ，国际长途= 52.5毫安，T

c

= 100° C)

q

jc

= 51.3 ° C / W

注意事项：

1.操作此设备是超出任何

这些限制可能会造成永久性

损害。

2.源铅温度为25°C降额

19毫瓦/ ℃，锝> 122 ° C。

用150 ℃测量3.热电阻

红外显微技术。

电气规格

T

A

= 25°C ， VDD1 = VDD2 = 4.8 V ， Vsd1 = Vsd2 = 0 V时Rbias两端= 1千欧，射频性能在2600兆赫， CW操作，除非

另有说明。

符号

VDD

国际直拨电话

收益

NF

[1]

OP1dB

IIP3

[2]

S11

S22

S12

S31

Vsd1,2

[3]

Vsd1,2

[3]

IDQ

[4]

ISD

[4]

IBIAS

[4]

参数和测试条件

电源电压

每个放大器的总电源电流（ IDQ +的Ibias ）

收益

噪声系数

在1分贝增益压缩输出功率

输入三阶截点

输入回波损耗， 50

来源

输出回波损耗， 50

负载

反向隔离

RFin1和RFin2之间的隔离

所需的最大关断电压开启LNA

所需的最小关断电压关闭LNA

电流电压Vdd与VSD = 0 V

电流电压Vdd与VSD = 3 V

目前在VSD与VSD = 0 V

目前在VSD与VSD = 3 V

目前在V偏压与VSD = 0 V

目前在V偏压与VSD = 3 V

单位

V

mA

dB

dB

DBM

DBM

dB

dB

dB

dB

V

V

mA

mA

mA

mA

mA

mA

分钟。

44

17.2

典型值。

4.8

53.3

18.2

0.45

18.7

马克斯。

65

19.4

0.65

13.5

15.5

-12.7

-4.4

-32.2

-41.6

0.5

2.0

49.4

0.39

4

0.175

3.9

4.52

注意事项：

1.噪声系数在DUT RF输入端子，电路板损耗deembedded 。

2. IIP3测试条件： FRF1 - FRF2 = 1 MHz的每个音-20 dBm的输入功率。

3. Vsd1和Vsd2是低电平有效

4.参见图6的更多细节。

2