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总体直流电气特性
表2.推荐工作条件（续）
特征
PCI局部总线， DUART ，系统控制和电源管理，I
2
C,
SPI ， JTAG和I / O电压
结温
符号
OV
DD
T
J
推荐
价值
3.3 V± 330 mV的
0至105
-40至105
单位
V
°
C
笔记
—
2
注意事项：
1. GV
DD
， LV
DD
， OV
DD
， AV
DD
和V
DD
必须彼此跟踪，并且必须变化以相同的方向，或者在正或
负方向。
2.操作条件为结温度T
J
，在600/333/400 MHz和500/333/500 MHz的上转。 2.0硅
0°到70
°
C.请参阅勘误General9在
芯片勘误表MPC8360E ，第1版。
3.关于部分编号的详细信息，请参阅
表80 。
该图中示出了下冲和过冲电压的设备的接口。
G / L / OV
DD
+ 20%
G / L / OV
DD
+ 5%
V
IH
G / L / OV
DD
GND
GND - 0.3 V
V
IL
GND - 0.7 V
不超过10 ％
的t
interface1
注意：
1.注意吨
接口
指的是与总线时钟接口相关联的时钟周期。
图3.过冲/下冲电压为GV
DD
/ OV
DD
/ LV
DD
MPC8360E / MPC8358E的PowerQUICC II Pro处理器版本2.x的TBGA硅硬件规格修订版5
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飞思卡尔半导体公司
