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SiA467EDJ
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Vishay Siliconix公司
P沟道12 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ） （最大）
0.0130在V
GS
= - 4.5 V
- 12
0.0145在V
GS
= - 3.7 V
0.0195在V
GS
= - 2.5 V
0.0400在V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
a
- 31
- 30
- 26
-7
29 NC
Q
g
（典型值）。
特点
TrenchFET
功率MOSFET
耐热增强型PowerPAK
SC- 70封装
- 小占位面积
- 低导通电阻
100 % R
g
和UIS测试
典型ESD保护： 5000 V（ HBM ）
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
的PowerPAK SC- 70-6L -单
1
D
2
D
3
6
D
5
D
S
4
S
2.05 mm
G
应用
便携设备，如智能手机，
平板电脑和移动计算
- 电池开关
- 负荷开关
- 电源管理
标识代码
B1 X
零件编号代码
S
G
2.05 mm
订货信息：
SiA467EDJ -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
XXX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源极 - 漏极二极管电流
单雪崩电流
单雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
- 12
±8
- 31
- 25
- 13
B，C
- 11
B，C
- 60
- 16
- 2.9
B，C
- 11
5.8
19
12
3.5
B，C
2.2
B，C
- 50至150
260
°C
W
mJ
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大
结到环境
B，F
t
5s
稳定状态
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型
28
5.3
最大
36
6.5
单位
° C / W
笔记
一。牛逼
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/doc?73257 ） 。采用PowerPAK SC- 70是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证
并且不要求以确保足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为80 ° C / W 。
S13-0107 -REV 。 A， 21 -JAN- 13
文档编号： 62816
1
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
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