LNK454/456-458/460
IC供应及旁路引脚
内部5.85 V稳压器的旁路电容充电
通过绘制当前连接到旁路引脚到5.85 V.
从漏极引脚时的功率MOSFET的电压
是关闭的。旁路引脚是内部供电电压节点。
当功率MOSFET导通时，器件的工作
能量储存在旁路电容。极低的功耗
内部电路的功耗允许的LinkSwitch- PL来
从需要从漏极引脚电流连续工作。
1旁路电容值
F
是苏夫网络cient实现高
高频去耦及能量存储。调光
应用程序可能需要更高的旁路电容。
在相位角调光时的导通角是
小的AC输入电压存在达的时间很短
时间。在这种情况下，在IC不应该依赖于集成
高压电流源，而是外部偏置电路
应该用来提供集成电路的输出（D
ES
和R
ES
in
图4）。如果输出电压小于7伏，外部偏压
电路应予执行。这是通过
增加一个辅助绕组变压器上，然后将其
整流并通过一个二极管（超高速）和电容滤波。该
绕组电压（匝）应当选择使得最大
集成电路消耗可以在最低的操作支持
输出电流。
启动，开关频率和准时范围
在启动时，控制器使用的初始的开关频率f
民
和最小导通时间t
开（分钟）
。输出的充电
电容器与所述能量输送至所述输出LED
决定一步一步的提高，功率MOSFET的
开关频率和及时更新的每个半周期
AC输入电压。
稳态开关频率和时间是
通过在LED的线电压，电压降来确定
和转换器的效率。
在当设备达到最小频率轻负载
f
民
和接通时间t
开（分钟）
时，控制器调节通过跳过
周期。在这种操作模式下，输入电流为不通电
因子校正和平均输出电流，不能保证
落入正常范围内。一个设计合理的供应会
在正常负载条件下，该模式下不工作。
正确设计的电源会内的工作
开关频率范围内并[f
民
… f
最大
] ，与导通时间下降
T之间
开（分钟）
和T
开（ MAX）的
当连接到一个正常的负荷。
过载保护
在超载的情况下，系统将增加操作
频率与导通时间每个AC半周期直到达到最大
频率和最大导通时间达到。在这种状态下
到达时，控制器进入自动重启动保护功能，从而
抑制功率MOSFET的栅极为大约
1.28秒，如果主电源频率为50 Hz， 1.02 ■如果它是60赫兹。
在此之后自动重启关断时间到期时，功率MOSFET是
重新启用并正常开机启动，即在f
民
和
t
开（分钟）
，加强监管，直至再次达到。在箱子
一个持久的超负荷运转状态，自动重启占空比DC
AR
为 33％。
相位调光期间过载保护受到抑制时，
可控硅导通的占空比小于60％。
输出过压保护
若在无负载条件下存在于所述电源的输出，在
输出过压保护稳压（ DZ
OV
在图4中），将进行一次其
阈值被达到。电压V
OV
过量的V
FB （ AR ）
= 2 V会
出现在反馈引脚与IC将进入自动
重新开始。
输出短路
如果电源的输出端（即LED负载）被短路，
然后大量的能量会被传递到感
电阻器，从而产生一个高电压，在反馈引脚。如果这
病情发展超过2 V的反馈引脚，然后
IC将解释该事件为输出短路和意志
进入自动重启。
安全工作区（ SOA ）保护
如果功率MOSFET的3个连续的周期是过早
终止是由于功率MOSFET的电流超过
在前沿消隐时间后，限流， SOA保护
模式被触发， IC将进入自动重启。
迟滞热关断
热关断电路检测结的结
温度。热关断阈值设定为142℃
并具备75 °C的迟滞。当芯片温度上升
超过这个阈值（ 142 ° C），功率MOSFET将被禁用
并且仍然禁止，直到结温度下降75 ℃，
这一点被重新启用功率MOSFET 。
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版本C 10/11
