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RJK6018DPM
典型的电容比。
漏源极电压
漏极至源极电压V
DS
(V)
10000
西塞
初步
动态输入特性（典型）
I
D
= 30 A
TA = 25
°C
V
GS
1000
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
TA = 25°C
600
V
DS
400
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
12
8
科斯
100
200
CRSS
10
0
100
200
300
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
4
0
120
160
200
0
40
80
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极电荷Qg （ NC ）
门源截止电压V
GS （ OFF ）
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
50
门源截止电压
与外壳温度（典型）
5
V
DS
= 10 V
反向漏电流I
DR
(A)
40
V
GS
= 0
TA = 25
°C
脉冲测试
4
I
D
= 10毫安
1毫安
0.1毫安
30
3
20
10
2
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
外壳温度
TC （ ℃）
R07DS0131EJ0200 Rev.2.00
2012年6月21日
第4 6
栅极至源极电压V
GS
(V)
800
16
电容C （PF ）
