IDD和IDDQ规格参数和测试条件
IDD和IDDQ测量条件
在这一章中， IDD和IDDQ测量条件，如试验载荷和模式的定义。身材
1.显示设置和测试负载IDD和IDDQ测量。
IDD电流（如IDD0 ， IDD1 ， IDD2N ， IDD2NT ， IDD2P0 ， IDD2P1 ， IDD2Q ， IDD3N ， IDD3P ， IDD4R ，
IDD4W ， IDD5B ， IDD6 ， IDD6ET和IDD7 ）测量与所有VDD球的时间平均电流
在DDR3 SDRAM的测试连接在一起。任何的IDDQ电流不包括在IDD电流。
的IDDQ电流（如IDDQ2NT和IDDQ4R ）测定与所有的时间平均电流
在DDR3 SDRAM的测试VDDQ球绑在一起。任何IDD电流不包括在IDDQ电流
rents.
注意： IDDQ值不能直接用于计算DDR3 SDRAM的IO能力。他们可以
用于支持模拟IO的电源实际的IO电源的相关性，如图2中概述在
的DRAM模块的应用程序， IDDQ不能分开，因为VDD和VDDQ的使用一个测
合并后的功率层模块PCB 。
用于长途和IDDQ测量，适用以下定义：
“0”和“低”被定义为VIN < = V
ILAC （最大值）。
“1”和“高”被定义为VIN > = V
IHAC （最大值）。
“ MID_LEVEL ”被定义为输入为VREF = VDD / 2 。
在表1中提供了用于长途和IDDQ测试回路模式定时。
基本IDD和IDDQ测试条件在表2中描述。
详细IDD和IDDQ测量回路模式在表3至表10描述。
IDD测量后正确初始化DDR3 SDRAM完成。这包括，但并不lim-
资讯科技教育为setting
RON = RZQ / 7 （ 34欧姆的MR1 ） ;
QOFF = 0
B
（在MR1输出缓冲器启用） ;
RTT_Nom = RZQ / 6 （ 40欧姆的MR1 ） ;
RTT_Wr = RZQ / 2 （ 120欧姆的MR2 ） ;
TDQS功能禁用MR1
注意： IDD和IDDQ测量回路模式需要执行至少一次
开始实际IDD或IDDQ测量前。
定义D = { CS ， RAS ， CAS，WE } = {高，低，低，低}
定义D = { CS ， RAS ， CAS，WE } = {高，高，高，高}
版本1.0 / 2013年4月
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