FUO50-16N
整流器器
符号
V
RSM
V
RRM
I
R
V
F
德网络nition
最大。重复反向阻断电压
反向电流，漏电流
评级
条件
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 150 °C
T
VJ
= 175 °C
d=
T
VJ
= 175 °C
0.78
17
2.1
0.20
T
C
= 25°C
T = 10毫秒; （ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3毫秒; （ 60赫兹） ，正弦
T = 10毫秒; （ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3毫秒; （ 60赫兹） ，正弦
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 °C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 °C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 25°C
8
70
270
290
230
250
365
350
265
260
V
m
K / W
K / W
W
A
A
A
A
As
As
As
As
pF
分钟。
典型值。
最大。非重复反向阻断电压
马克斯。
1700
1600
20
1
1.15
1.50
1.04
1.55
50
单位
V
V
A
mA
V
V
V
V
A
V
R
= 1600 V
V
R
= 1600 V
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
15 A
45 A
15 A
45 A
正向电压降
I
DAV
V
F0
r
F
R
thJC
R
thCH
P
合计
I
FSM
桥输出电流
T
C
= 120°C
矩形
阈值电压
斜率电阻
只有功率损耗计算
热阻结到外壳
热电阻的情况下到散热器
总功耗
最大。正向浪涌电流
I了
价值融合
T = 10毫秒; （ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3毫秒; （ 60赫兹） ，正弦
T = 10毫秒; （ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3毫秒; （ 60赫兹） ，正弦
C
J
结电容
V
R
= 400 V ; F = 1 MHz的
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数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20130215b
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