HIN202E ， HIN206E ， HIN207E ， HIN208E ， HIN211E ， HIN213E ， HIN232E
模具特点
金属化：
类型：铝
厚度： 10K
±1k
衬底电位
GND
钝化：
类型：氮化物超过SILOX
氮化物厚度： 8K
二氧化硅层厚度： 7K
晶体管数量：
185
过程：
CMOS金属门
金属掩模布局
HIN232E
V-
引脚6
C2-
5脚
C2+
引脚4
C1-
3脚
PIN 2 V +
T2
OUT
7针
PIN 1 C1 +
R2
IN
引脚8
T3
OUT
9针
PIN 17 V
CC
R2
OUT
引脚10
引脚11
T2
IN
引脚12
T1
IN
引脚13
R1
OUT
引脚14
R1
IN
引脚15
T1
OUT
PIN码16
GND
13
FN4315.16
2005年11月4日
