恩智浦半导体
HEF4014B
8位的静态移位寄存器
表9 。
V
DD
5 V至15 V
测量点
输入
V
M
0.5V
DD
产量
V
M
0.5V
DD
电源电压
V
DD
V
I
G
RT
V
O
DUT
CL
001aag182
测试数据列于
表10 ;
德网络nitions测试电路：
DUT =被测设备。
C
L
=负载电容包括夹具和探头电容。
R
T
=端接电阻应等于输出阻抗Z
o
的脉冲发生器。
图6 。
表10 。
V
DD
测试电路
测试数据
输入
V
I
V
SS
或V
DD
t
r
, t
f
20纳秒
负载
C
L
50 pF的
电源电压
5 V至15 V
HEF4014B
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产品数据表
启8 - 2011年11月21日
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