位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第45页 > TVP5150AM1IPBSRQ > TVP5150AM1IPBSRQ PDF资料 > TVP5150AM1IPBSRQ PDF资料1第67页
TVP5150AM1
www.ti.com
SLES209E
–
2007年11月
–
经修订的2011年10月
64年3月21日中断配置寄存器A
地址
默认
7
C2h
04h
6
5
版权所有
4
3
2
启用的YCbCr
（ VDPOE ）
1
中断
0
打断
极性
启用的YCbCr （ VDPOE ）
0 =的YCbCr引脚为高阻。
1 =的YCbCr引脚是积极的，如果其他条件都满足（默认值）（见
表3-13 ） 。
中断（只读）
0 =中断未激活的外部引脚（默认） 。
1 =中断处于激活状态的外部引脚。
中断极性必须相同，中断配置寄存器B在中断极性B
地址1EH 。
中断极性一
0 =中断为低电平有效（默认） 。
1 =中断为高电平有效。
中断配置寄存器A是用来配置外部中断端子的极性。当
中断A配置为低电平时，终端驱动时，主动和低阻抗高时，
无效（漏极开路） 。相反，当终端被配置为高电平时，被驱动为高时
积极拉低非活动状态时。
注：外部上拉电阻（ 4.7kΩ至10kΩ的）时，需要外部中断的极性
端子（引脚27），被配置为低电平有效。
65年3月21日VDP配置寄存器RAM
地址
默认
地址
C3h
C4h
C5h
C3h
大昌行
7
C4h
0Fh
6
C5h
00h
5
4
3
CON组fi guration数据
RAM地址（ 7 ： 0 ）
版权所有
2
1
0
内存
地址8
配置RAM的数据被提供给初始化初始常数的可变数据印刷。配置RAM
是组织为每个16字节的32种不同的配置， 512字节。第12配置
定义为当前VBI标准。一个附加的两种配置可以被用作一个自定义
编程模式为唯一标准，如宝石星。
地址反应3h用于读取或写入到RAM中。在内部RAM的地址计数器自动为
增加每一笔交易。地址C5H和C4H组成的9位地址来加载内部
地址计数器与一个特定起始地址。这可以被用来写入RAM中的一个子集，仅
这些标准的兴趣。
记
寄存器D0H - FBH都必须与FFH读或写程序之前，
配置RAM 。满场模式（ CFH ）必须禁止。
版权
2007-2011年，德州仪器
功能说明
提交文档反馈
www.ti.com ：
TVP5150AM1
67
