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TIP41/41A/41B/41C
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
符号
TEST
条件
40
60
80
100
40
60
80
100
5
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压
V
( BR ) CBO
I
C
= 1mA时,我
E
=0
V
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
I
C
= 30mA时我
B
=0
V
发射极 - 基极击穿电压
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
TIP41/41A
TIP41B/41C
V
( BR ) EBO
I
E
= 1mA时,我
C
=0
V
CB
= 40V ,我
E
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
CB
= 80V ,我
E
=0
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
CE
= 30V ,我
B
=0
V
CE
= 60V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 4V ,我
C
=0.3A
V
CE
= 4V ,我
C
=3A
I
C
= 6A ,我
B
=0.6A
V
CE
= 4V ,我
C
=6A
V
CE
= 10V ,我
C
=0.5A
F = 1MHz的
V
集电极截止电流
I
CBO
0.4
mA
集电极截止电流
发射极截止电流
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
0.7
1
30
15
75
1.5
2
3
mA
mA
直流电流增益
h
FE(2)
V
CE (SAT)
V
BE(上)
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
V
V
兆赫
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2006 Thinki半导体有限公司。
http://www.thinkisemi.com/
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