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Supertex公司公司。
N沟道增强模式
垂直的DMOS FET
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
VN10K
特点
概述
此增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的，硅
栅极制造工艺。这种结合产生了一种
装置具有双极晶体管的功率处理能力
和高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特征全部
MOS结构，该设备不受热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于宽
各种开关和放大应用中非常
低阈值电压，高的击穿电压，高输入
阻抗，低输入电容，和快速的开关速度
是期望的。
电机控制
转换器
放大器器
开关
应用
电源电路
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，
存储器，显示器，双极型晶体管等）的
订购信息
设备
VN10K
包
TO-92
VN10KN3-G
BV
DSS
/ BV
DGS
(V)
R
DS （ ON）
（最大）
(Ω)
I
D（上）
（分钟）
（MA ）
60
5.0
750
对于包装的产品， -G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ） 。
咨询工厂的芯片/晶圆形式部件号。
请参考模具规格VF21的布局和尺寸。
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
价值
BV
DSS
BV
DGS
±30V
-55
O
C至+150
O
C
引脚配置
漏
来源
门
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
TO-92 （N 3 ）
产品标识
SiVN
10 K
YYWW
YY =年密封
WW =周密封
= “绿色”包装
TO-92 （N 3 ）
封装可以包括或不包括以下标记： Si或
Supertex公司公司。
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
联系电话： 408-222-8888
www.supertex.com
