NTE4013B & NTE4013BT

集成电路

CMOS ，双D型触发器

描述：

该NTE4013B和NTE4013BT双D型触发器与MOS P沟道构造和

N沟道在一个单一的整体结构增强型器件。每个触发器具有indepen-

凹痕数据（D ） ，直接设置（S ） ，直接复位（ R）和时钟（ C）输入和互补输出（Q

和Q） 。这些设备可被用作移位寄存器的元素或作为T型触发器计数器和

切换应用程序。

产品特点：

D

电源电压范围： 3V至15V

D

高抗干扰性： 0.45V

DD

典型值

D

在所有输入端保护二极管

D

能够驱动一个低功率肖特基TTL负载两种低功耗TTL负载过的

额定温度范围

D

提供两种封装类型：

NTE4013B （ 14引脚DIP ）

NTE4013BT （ SOIC -14表面贴装）

绝对最大额定值：

(V

SS

= 0V ，注1 ，除非另有规定）

直流电源电压，V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

0.5

至+ 18V

输入或输出电压（ DC或瞬态） ，V

in

, V

OUT

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

0.5

到V

DD

+0.5V

输入或输出电流（ DC或瞬态） ，每针，我

in

, I

OUT

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±10mA

功耗，P

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500mW的

减免上述65 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7MW /°C的

工作环境温度范围内，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

55°

至+ 125°C

存储温度范围，T

英镑

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

65°

至+ 150°C

焊接温度（焊接时， 8秒） ，T

L

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C

注1： “绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能

得到保证，它们意味着暗示该设备应在这些限制下工作。该

“推荐工作条件”和“电气特性”中的表格提供了条件

系统蒸发散器件的实际工作。

推荐工作条件：

(V

SS

= 0V ，除非另有规定）

直流电源电压，V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +3V

DC

至+ 15V

DC

输入电压V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0V

DC

到V

DD

工作环境温度范围内，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

40°

至+ 85°C