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美光科技公司机密和专有
4GB，8GB ，16GB ： X8 ， X16 NAND闪存
两个平面的操作
图70 ：双机页读
CLE
WE＃
ALE
RE ＃
网页地址M
网页地址M
ROW
加3
I /牛
00h
COL
ADD 1
COL
加2
ROW
ADD 1
ROW
加2
00h
COL
ADD 1
COL
加2
ROW
ADD 1
ROW
加2
ROW
加3
30h
tR
列地址
R / B＃
平面0地址
列地址
平面1地址
1
CLE
WE＃
ALE
RE ＃
I /牛
D
OUT
0
D
OUT
1
D
OUT
平面0的数据
06h
COL
ADD 1
COL
加2
ROW
ADD 1
ROW
加2
ROW
加3
E0h
D
OUT
0
D
OUT
1
D
OUT
平面1的数据
平面1地址
R / B＃
1
注意事项：
1.柱及页地址必须是相同的。
2.至少显著块地址位， BA6 ，必须对第一代和第二不同
平面地址。
PDF ： 09005aef83b25735
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - 牧师 10/12 EN
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