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美光科技公司机密和专有
4GB，8GB ，16GB ： X8 ， X16 NAND闪存
内部数据移动操作
图52 ：内部数据移动（ 85H - 10H ） ，内置ECC启用
t
R_ECC
t
PROG_ECC
R / B＃
I / O [ 7 ： 0 ]
00h
地址
（ 5次）
35h
70h
状态
00h
D
OUT
D
OUT
可选
85h
地址
（ 5次）
10h
70h
状态
00h
源地址
SR位0 = 0阅读成功
SR位1 = 0读取错误
目标地址
SR位0 = 0阅读成功
SR位1 = 0读取错误
图53 ：内部数据移动（ 85H - 10H）与内置ECC随机数据输入启用
t
R_ECC
t
PROG_ECC
R / B＃
I / O [ 7 ： 0 ]
00h
地址
（ 5次）
35h
70h
状态
00h
D
OUT
85h
地址
（ 5次）数据85H
地址
（ 2次）数据10H
70h
源地址
SR位0 = 0阅读成功
SR位1 = 0读取错误
D
OUT
可选
目标地址
列地址1,2
（ Unlimitted重复是可能的）
程序进行内部数据移动（ 85H - 10H ）
对于内部数据移动（ 85H - 10H ）命令的程序在功能iDEN的
蒂卡尔的程序页（ 80H - 10H ）命令，除了当85H被写入
命令寄存器，高速缓存寄存器的内容不会被清除。
图54 ：程序进行内部数据移动（ 85H - 10H ）操作
周期类型
命令
地址
地址
地址
地址
地址
命令
I / O [ 7 ： 0 ]
RDY
85h
C1
C2
R1
R2
R3
10h
TWB
TPROG
PDF ： 09005aef83b25735
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - 牧师 10/12 EN
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