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4GB，8GB ，16GB ： X8 ， X16 NAND闪存
状态操作
状态操作
每个管芯（ LUN），对同一目标提供其状态独立于其它裸片（ LUN）的
通过其8位状态寄存器。
读状态（ 70H ）或读状态增强后（ 78H ）命令发出后，
状态寄存器的输出被使能。状态寄存器的内容在我回/
-O [ 7：0]为每个数据输出请求。
当异步接口是活动和状态寄存器输出使能，
改变状态寄存器上看到I / O [ 7 ： 0 ]只要CE＃和RE ＃都为低电平;这是
没有必要切换RE ＃来查看状态寄存器更新。
同时监视状态寄存器，以确定何时从闪存的数据传送
阵列到数据寄存器（
t
R）是完整的，主机必须发出读取模式（ 00h）时
命令禁用状态寄存器中，实现数据输出（见读操作） 。
读状态（ 70H ）命令返回最近选择模具的状态
（LUN）。为了防止数据争用期间或之后的交织模（多LUN ）
操作时，主机必须通过使用READ只启用一个管芯（LUN）为状态输出
增强状态（ 78H ）命令（请参阅交错模具（多LUN ）的操作） 。
内部ECC启用，一个读状态命令完成后需要
数据传送（
t
R_ECC ），以确定是否发生了一个不可校正的读取错误。
表18 ：状态寄存器定义
SR
位
7
6
5
4
3
2
1
0
节目
页面
写保护
RDY
ARDY
–
–
–
FAILC （N - 1 ）
失败
节目页
缓存模式
写保护
RDY
1
缓存
ARDY
2
–
–
–
FAILC （N - 1 ）
FAIL （ N）
页面读取
写保护
RDY
ARDY
–
改写
推荐
3
–
版权所有
失败
4
页面读取
缓存模式
写保护
RDY
1
缓存
ARDY
2
–
–
–
–
–
块擦除
描述
写保护0 =保护
1 =不保护
RDY
ARDY
–
–
–
–
失败
0 =忙
1 =就绪
不关心
不关心
0 =正常或无法纠正
1 =重写推荐
不关心
不关心
0 =成功的计划/
擦除/读
1 =在程序错误/
擦除/读
注意事项：
1.状态寄存器的第6位为1时，高速缓存已准备好接受新的数据。 R / B＃以下6位。
2.状态寄存器的第5位为0，实际编程操作过程中。如果缓存模式
使用时，该位为1时，所有的内部操作完成。
3.定义为改写状态寄存器位建议表示该页面包括
acertain每扇区读取错误数（ 512B （主） + 4B （备用） + 8B （奇偶校验） ，一个重
writeof推荐此页面。 （最多4位的错误已经如果内部校正
ECC已启用）。
4，定义为未通过状态寄存器位意味着无法纠正的读错误OC-有
curred 。
PDF ： 09005aef83b25735
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - 牧师 10/12 EN
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