位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1724页 > MT29F8G08ADADAH4D > MT29F8G08ADADAH4D PDF资料 > MT29F8G08ADADAH4D PDF资料1第30页
美光科技公司机密和专有
4GB，8GB ，16GB ： X8 ， X16 NAND闪存
设备初始化
设备初始化
美光NAND闪存设备的设计，以防止电源在数据损坏
转场。 V
CC
内部监控。 （在WP ＃信号支持额外的硬件
在电源转换保护功能。 ）当斜坡V
CC
，请使用以下过程
初始化设备：
1.斜V
CC
.
2.必须等待R / B＃主机要发出RESET（ FFH ）之前有效和高
任何目标。的R / B ＃信号变为有效，因为begin-时为50μs已经经过
宁V
CC
坡道，并为10μs ，因为V已经过去
CC
达到V
CC
（最小值） 。
3.如果不监视R / B ＃ ，主机必须等待至少100μs的后V
CC
达到V
CC
（MIN） 。如果监视R / B ＃ ，主机必须等待，直到R / B ＃是高电平。
4.异步接口被激活默认情况下，每一个目标。每个LUN画
低于平均10mA电流（I
ST
）上测量的时间间隔为1ms ，直到复位
（ FFH ）命令发出。
5. RESET （ FFH ）命令必须发给所有目标的第一个命令（ CE ＃ S）
NAND闪存设备后，开机。每一个目标将是忙碌之后1ms的
RESET命令发出。复位忙的时候可以通过轮询监视
R / B＃或发出读状态（ 70H ）命令来查询状态寄存器。
6.设备正在初始化并准备好进行正常操作。
图24 ： R / B＃上电行为
为50μs （ MIN ）
V
CC
V
CC
= V
CC
（分钟）
10s
（最大）
R / B＃
V
CC
坡道
开始
为100μs （MAX）
复位（ FFH ）
发
无效
PDF ： 09005aef83b25735
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - 牧师 10/12 EN
30
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2009年美光科技公司保留所有权利。
