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美光科技公司机密和专有
4GB,8GB ,16GB : X8 , X16 NAND闪存
电气规格 - 直流特性和操作
条件
电气规格 - 直流特性和工作条件
表27 :直流特性和工作条件( 3.3V )
参数
连续读取电流
编程电流
擦除电流
待机电流( TTL )
待机电流( CMOS )
交错电电流
租金
输入漏电流
输出漏电流
输入高电压
t
RC
条件
=
t
RC ( MIN ) ; CE# = V
IL
;
I
OUT
= 0毫安
CE# = V
IH
;
WP # = 0V / V
CC
CE# = V
CC
- 0.2V;
WP # = 0V / V
CC
上升时间为1ms
线路电容= 0.1μF
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
I / O [ 7 : 0 ] I / O [ 15 : 0 ]
CE # , CLE , ALE , WE# , # RE ,
WP #
I
OH
= –400A
I
OL
= 2.1毫安
V
OL
= 0.4V
注意事项:
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
SB1
I
SB2
I
ST
I
LI
I
LO
V
IH
0.8× V
CC
典型值
25
25
25
20
最大
35
35
35
1
100
10%的模具
±10
±10
V
CC
+ 0.3
单位
mA
mA
mA
mA
A
mA
A
A
V
笔记
1
输入低电压,所有IN-
看跌期权
输出高电压
输出低电压
输出低电流
V
IL
V
OH
V
OL
I
OL
( R / B # )
–0.3
0.67 x垂直
CC
8
10
0.2× V
CC
0.4
V
V
V
mA
3
3
2
1.测量是采取1ms的平均间隔,并开始V后
CC
到达
V
CC
(最小值) 。
2. I
OL
(R / B#),可能需要被放宽,如果R / B下拉强度没有被设置为完整的。
3. V
OH
和V
OL
可能需要的,如果I / O驱动力没有被设置为全向被放宽。
PDF : 09005aef83b25735
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - 牧师 10/12 EN
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