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美光科技公司机密和专有
4GB，8GB ，16GB ： X8 ， X16 NAND闪存
两个平面的操作
图78 ：双平面块擦除
CLE
CE＃
WE＃
ALE
tDBSY
TBERS
R / B＃
RE ＃
I /牛
60h
地址输入（ 3次）
第一面
D1h
60h
地址输入（ 3次）
第2面
D0h
70h
或78H
状态
不在乎
可选
图79 ：双机/多DIE读状态周期
CE＃
CLE
WE＃
TAR
ALE
RE ＃
tWHR
I /牛
78h
地址（ 3次）
TREA
状态输出
PDF ： 09005aef83b25735
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - 牧师 10/12 EN
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