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HT66F0172/HT66F0174
增强的A / D闪存的8位MCU
A / D转换器特性
TA = 25℃
符号
AV
DD
V
ADI
V
REF
V
BG
DNL1
参数
A / D转换器操作武& frac12 ;踏歌
A / D转换器INP & frac12 ;吨武& frac12 ;踏歌
A / D转换器参考武& frac12 ;踏歌
参考武& frac12 ;踏歌与B& frac12 ; FFER武& frac12 ;踏歌
不同点& frac12 ;非& frac12 ; inearit & frac12 ;
测试条件
V
DD
½.7V
½V
5V
½.7V
DNL½
不同点& frac12 ;非& frac12 ; inearit & frac12 ;
½V
5V
½.7V
INL1
INTEGRA & frac12 ;非& frac12 ; inearit & frac12 ;
½V
5V
½.7V
INL½
INTEGRA & frac12 ;非& frac12 ; inearit & frac12 ;
Additiona & frac12 ;电力缺点和frac12 ; mption如果
A / D转换器& frac12 ; sed的
Additiona & frac12 ;电力缺点和frac12 ; mption若V
BG
参考与B& frac12 ; FFER是& frac12 ; sed的
A / D转换器C& frac12 ;玉珠期
A / D转换时间
(公司& frac12 ;& frac12 ;德桑普和frac12 ; e和何& frac12 ; 4时间)
A / D转换器桑普& frac12 ; ING时间
A / D转换器的 - 开始时间
V
BG
T& frac12 ; RN上刺& frac12 ; E时间
½V
5V
I
ADC
I
BG
t
ADCK
t
ADC
t
ADS
t
ON½ST
t
BGS
½V
5V
1 & frac12 ;位ADC
条件
V
REF
= AV
DD
=V
DD
t
ADCK
=0.5μs
Ta=25C
V
REF
= AV
DD
=V
DD
t
ADCK
=0.5μs
TA = -40 ° C 85°C
V
REF
= AV
DD
=V
DD
t
ADCK
=0.5μs
Ta=25C
V
REF
= AV
DD
=V
DD
t
ADCK
=0.5μs
TA = -40 ° C 85°C
无& frac12 ; OAD (T
ADCK
=0.5μs )
分钟。
½.7
0
½
-½%
典型值。
1.½5
马克斯。
5.5
V
REF
AV
DD
+½%
单位
V
mA
V
V
最低位
-4
+4
最低位
-4
+4
最低位
-8
0.5
½
½00
0.9
1.½
½00
16
4
+8
1.½5
1.8
½00
10
最低位
mA
mA
μA
μs
t
ADCK
t
ADCK
μs
μs
1.00版
14
& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; 11 & frac12 ; & frac12 ; 01 & frac12 ;

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