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ICM7170
ICM7170
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 8.0V
功率耗散（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .500mW
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
输入电压（在任何终端）（注2）。 。 。 。 V
DD
+ 0.3V至V
SS
-0.3V
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
50
不适用
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
不适用
最高结温
塑料包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.由于可控硅结构中固有的CMOS工艺制造，在电压连接任何终端大于V
DD
或小于v
SS
可能会造成破坏性
装置闭锁。出于这个原因，建议不从同一电源不工作的外部源的输入被施加到
设备的电源之前被建立，并且在多电源系统中，供给到ICM7170上首先被打开。
电气规格
参数
V
DD
电源电压范围，V
DD
T
A
= -40
o
C至85
o
C，V
DD
+5V
±10%,
V
BACKUP
V
DD
, V
SS
= 0V除非另有说明
所有我
DD
规范包括所有输入和输出泄漏（ ICM7170和ICM7170A ）
测试条件
f
OSC
= 32KHz的
f
OSC
= 1，2，为4MHz
民
1.9
2.6
ICM7170
ICM7170A
-
-
-
-
-
-
2.4
-
2.4
-10
-10
2.6
1.9
INT源
连接到V
SS
-
-
-
典型值
-
-
1.2
1.2
20
0.3
1.0
-
-
-
-
0.5
0.5
-
-
0.5
8
6
最大
5.5
5.5
20.0
5.0
150
1.2
2.0
0.8
-
0.4
-
+10
+10
V
DD
- 1.3
V
DD
- 1.3
10
-
-
单位
V
V
A
待机电流，I
STBY(1)
f
OSC
= 32KHz的
引脚1 - 8.15 - 22和24 = V
DD
V
DD
= V
SS
; V
BACKUP
= V
DD
- 3.0V
对于ICM7170A见一般注意事项5
A
待机电流，I
STBY
(2)
工作电源电流，我
DD(1)
工作电源电流，我
DD(2)
输入低电压（除时钟） ，V
IL
输入高电压（除时钟） ，V
IH
输出低电压（除时钟） ，V
OL
输出高电压除
中断（除时钟） ，V
OH
输入漏电流，I
IL
三态泄漏电流
（ D0 - D7 ） ，我
OL
(1)
备用电池电压，V
电池
备用电池电压，V
电池
泄漏电流中断时，我
OL
(2)
电容D0 - D7 ，C
I / O
电容A0 - A4 ，C
地址
f
OSC
= 4MHz的引脚1 - 8.15 - 22和24 = V
DD
V
DD
= V
SS
; V
BACKUP
= V
DD
- 3.0V
f
OSC
= 32kHz时，读/写在100Hz操作
f
OSC
= 32kHz时，读/写在1MHz工作
V
DD
= 5.0V
V
DD
= 5.0V
I
OL
= 1.6毫安
I
OH
= -400A
V
IN
= V
DD
或V
SS
V
O
= V
DD
或V
SS
f
OSC
= 1，2，为4MHz
f
OSC
= 32KHz的
V
O
= V
DD
A
mA
mA
V
V
V
V
A
A
V
V
A
pF
pF
规格编号ICM7170_IM （ IL ） REV -
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