UC1874-1,-2
UC2874-1,-2
UC3874-1,-2
CAP ：
电容器通常是连接在这个引脚之间
和GND提供旁路的内部11V稳压器。
电荷从这个电容为C转移
BST
通过
当低侧MOSFET导通外部二极管。
若VCC
≤
10V逻辑电平MOSFET一般试样
田间。 CAP应该再结合被短路到VCC
具有低VF肖特基引导，最大限度地门
驱动幅度。这种技术提供了足够的栅
驱动器与VCC信号幅度可低至4.5V 。为
高输入电压应用中，一个简单的外部分流器
齐纳调节器电路可以连接到CAP ，从而
卸载功耗要求从IC到
一个外部晶体管。
COMP ：
这是电压放大器的输出端。据亲
志愿组织的电流指令信号到电流扩增
费里。的电压被钳位到大约3.2V 。
CT ：
从CT到GND的电容设定PWM振荡器
根据下面的方程频率：
ISNS- ：
这是反相输入到X10的instrumenta-
化放大器。共模输入范围，该引脚
范围是从GND到VCC 。在A系列低阻值电阻
与输出电感器连接该引脚之间
和ISNS +开发的电流检测信号。
ISNS + ：
这是在非反相输入到X10的乐器
心理状态放大器。所述的共模输入范围
该引脚与GND延伸至VCC 。
ISOUT ：
这是X10的仪表上午的输出
plifier 。该引脚上的输出电压电平转换2V
上述接地，使得如果一个100mV的差分输入是AP-
横跨ISNS +和ISNS-合股时，输出电压为3V 。
地线：
这是用于IC的高电流接地。该
MOSFET驱动器晶体管都参考这个理由。
为了获得最佳的性能外星形接地连接
应此引脚的低源之间进行
侧MOSFET ，在第电容器中的任阳极
外部肖特基钳位二极管和输出滤波器钙
pacitor 。如同所有的高频布局，接地
平面和短引线强烈推荐。
SB ：
对SB的电压设置输出电流水平
该待机模式启动。从0V的电压电平
从50％ 1V方案的阈值，以满负荷为0％
电流。满载电流对应一个100mV的differ-
整个ISNS输入无穷区间的信号。由于这是一个
高阻抗输入端，由其衍生的分压器
VREF可以用于这个级别编程。另外possi-
均衡器的用途是有效地控制这个水平与外部税务局局长
cuitry自适应地控制转换器的效率。搭售SB
至VREF禁用待机模式操作。
SS:
此引脚与GND结合电容器
内部10毫安电流源提供了软启动
功能的集成电路。对SS的电压电平钳位
电压放大器的通过内部缓冲输出，
从而提供了一种控制的启动。 SS的时间是AP-
近因：
F
=
1
14250
CT
使用高品质陶瓷电容，低ESL和
ESR的最佳效果。 220PF IN-的最小CT值
祖雷斯贝尔良好的精度和更低的易感性电路lay-
出寄生效应。振荡器和PWM被设计成
提供实际操作至300kHz 。
GND ：
所有电压都相对于该引脚。
除非所有的旁路电容和定时元件
那些在PGND引脚说明中列出应
连接到该管脚。元件引线应尽可能
短而直。
HDRIVE ， LDRIVE ：
PWM的输出图腾
在HDRIVE和LDRIVE极MOSFET栅极驱动器
销。该输出可吸收约1A和源
500mA的电流。这一特点优化开关跃迁
系统蒸发散通过在导通和一个提供一个受控的dV / dt
在关断时阻抗较低。这些都是相辅相成的
同为200ns的典型死区时间的输出。内部电路
cuitry避免同时导通的可能性
输出MOSFET的（击穿） 。 HDRIVE是
高压侧自举输出。其上部电源轨
是将引导销，这意味着其输出将飞AP-
近因10V上述VCC时的上侧
图腾柱输出导通。电源轨
LDRIVE是CAP 。其结果是两个栅极的Vgs是
调节到10V左右，如果VCC是>11V 。一系列
这些引脚之间，并在MOSFET栅极电阻
至少为10欧姆，可以用来控制振荡。加成
盟友，低VF肖特基二极管应连接BE-
补间这些引脚与GND ，以防止基材
传导和可能工作不稳定。
C
SS
V
O
3
V
V
IN
10
A
一旦设备已完成了它的软启动周期，低的
功耗的睡眠模式可以通过下面的SS拉来调用
0.5V典型。在睡眠模式中，所有的设备功能
被禁用的，除了那些必须携带
该设备从睡眠模式时， SS被释放。典型
CAL睡眠模式电源电流低于50mA 。
VCC ：
正电源轨的IC 。绕过这个引脚
GND与1MF低ESL / ESR的陶瓷电容。该
最大电压VCC为36V 。电压转
在VCC电平为4.5V带滞后的为100mV
UC3874-1和10V以1V滞后的
UC3874-2.
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