MIC5156/5157/5158
电荷泵（ MIC5157 /只5158 ）
电荷泵三倍创建横跨贮存器的直流电压
电容C3 。外部电容器C1和C2提供了必要请
埃森存储用于电荷泵三倍的阶段。
在三倍的近似直流输出电压为：
V
CP
≈ 3 (V
DD
– 1)
V
CP
=电荷泵输出电压
麦克雷尔INC 。
需要注意的是恢复时间周期性的负载瞬变可能
受影响较小的泵电容。
栅 - 源钳位
栅极 - 源极电压保护16.6V的钳位保护
在MOSFET中的事件，该输出电压是忽
强制为零伏。这可防止损坏外部
在负载短路条件下的MOSFET 。请参阅“充电
泵“用于正常钳位电路的操作。
由栅极 - 源极钳位所需的源极连接
不提供可调版本的MIC5156的。
输出调节
在启动时，误差放大器器的反馈电压（ EA ） ，或
在网络连接固定的版本的内部反馈，低于标称的时候
相比于内部1.235V带隙基准。这
迫使误差放大器输出ER高，这开启克斯特
最终MOSFET Q1 。当输出电压达到稳定时，
控制器保持在不断变化的恒定输出电压
输入和负载条件下，通过调整误差放大器ER
根据输出电压（栅极电压的增强）
反馈电压。
外的检测调节
当输出电压为8％或更低于标称的
集电极开路输出FLAG （通常较高）被拉低到
信号故障状态。在FLAG输出可以用来
信号或控制外部电路。该标志的输出也可以
用于关闭使用EN控制的调节器。
限流
超级LDO稳压器执行恒定电流限制（不
折返） 。为了实现限流，检测电阻
(R
S
）必须放置在V之间的“权力”路径
DD
和
D（漏） 。
如果检测电阻两端的压降达到35mV ，
电流限制比较减少了误差放大器输出ER
放。扩增fi er输出的误差减少只够
减小输出电流，从而防止穿过所述电压
检测电阻不超过35mV 。
其中：
在V
CP
钳位电路限制了电荷泵电压至16V
上述V
DD
通过开启或关闭选通作为电荷泵振荡器
所需。电荷泵振荡器工作在为160kHz 。
扩增fi er错误使用电荷泵电压来驱动
外部MOSFET的栅极。它提供了一个恒定负荷
大约1mA至电荷泵。误差放大器的输出ER
可以在V的1V摆动
CP
.
虽然MIC5157 / 8的目的是提供栅极驱动器
利用其内部的电荷泵，外部栅极驱动器支持
帘布层的电压可以被施加到V
CP
。当使用外部
栅极驱动电源，V
CP
不得超过14V被迫更多
比V高
DD
.
当恒定的负载被驱动时，对所述开关ON / OFF
电荷泵可以是明显的输出波形。
这是由电荷泵的开关接通，并迅速引起
增大的电源电压的误差放大器呃。期间
这个小电荷的泵激励是通过一个数来确定
的因素：输入电压，电流1mA运算放大器负载，任何直流
与MOSFET的栅极电路相关联的泄漏，大小
的电荷泵电容，电荷泵的大小
储电容器，而与输入电压的特性
并加载。期间，通过增加所述充电加长
泵储能电容（ C3 ） 。幅度减小由
削弱了电荷泵，这是通过reduc-完成
荷兰国际集团的泵电容器（ C1和C2）的大小。如果这个小
爆是在应用程序中的问题，用10μF水库
电容器在C3和0.01μF的泵电容器，在C1和C2。
V
DD
电源电压
应用信息
MOSFET选择
标准的N沟道增强模式MOSFET是AC-
接受的大多数超级LDO稳压器的应用程序。
逻辑电平的N沟道增强型MOSFET可以
是必要的，如果外部的栅极驱动电压过低
（ MIC5156 ） ，或输入电压过低时，提供足够的
电荷泵电压（ MIC5157 / 8） ，以提高一个标准
MOSFET。
电路布局
为了获得最佳的电压调节，放置源，地，
和误差放大器的连接器尽可能靠近的
负载。看到科幻居雷什（ 1a）和（1b）中。
G
MIC515x
GND
S
V
IN
图1a。对于固定输出连接
MIC5156/5157/5158
8
2005年8月
