STM32F103x8 ， STM32F103xB
表9 。
符号
电气特性
一般的操作条件（续）
参数
条件
标准IO
民
–0.3
–0.3
–0.3
0
最大
V
DD
+
0.3
5.5
5.2
5.5
454
434
339
308
mW
444
363
624
1000
–40
–40
–40
–40
–40
–40
85
105
105
°C
125
105
125
V
单位
V
IN
I / O输入电压
FT IO
(3)
BOOT0
2 V < V
DD
≤
3.6 V
V
DD
= 2 V
LFBGA100
LQFP100
UFBGA100
P
D
在T功耗
A
= 85°C TFBGA64
为后缀6或T
A
= 105 ℃下进行
LQFP64
7后缀
(4)
LQFP48
UFQFPN48
VFQFPN36
室温下6
后缀版本
T
A
环境温度为7
后缀版本
T
J
结温范围
7后缀版本
1.当ADC的情况下，指
表46 ： ADC特性。
最大功率耗散
低功耗
(5)
最大功率耗散
低功耗
(5)
6后缀版本
2.建议在电源V
DD
和V
DDA
从相同的源。 300 mV的最大差值
V之间
DD
和V
DDA
可在上电和运行可以容忍的。
3.要保持比V的电压较高
DD
+0.3 V，内部上拉/下拉电阻必须被禁止。
4.若t
A
较低，较高的P
D
值可以作为长期为T
J
不超过
J
MAX（见
表6.2 ：热
第93页上的特性） 。
5.在低功耗状态下，T
A
只要可以扩展到这个范围为T
J
不超过
J
MAX（见
表6.2 ：第93页上的热特性） 。
5.3.2
在上电/掉电工作条件
除一般的操作条件对于T
A
.
表10 。
符号
t
VDD
在上电/掉电工作条件
参数
V
DD
上升时间率
V
DD
下降时间率
条件
民
0
20
最大
单位
微秒/ V
∞
∞
5.3.3
内置复位和电源控制模块特性
在给定的参数
表11
在环境从测试得到的执行
温度和V
DD
电源电压条件总结在
表9 。
文档ID 13587牧师15
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