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PD-91852I
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHNA57064 100K拉德（SI ）
IRHNA53064 300K拉德（SI ）
IRHNA54064
500K拉德（SI ）
IRHNA58064 1000K拉德（SI ）
IRHNA57064
JANSR2N7468U2
60V的N通道
REF ： MIL -PRF-六百七十三分之一万九千五百
5
技术
R
DS （ ON）
I
D
QPL型号
0.0056Ω 75A * JANSR2N7468U2
0.0056Ω 75A * JANSF2N7468U2
0.0056Ω 75A * JANSG2N7468U2
0.0065Ω 75A * JANSH2N7468U2
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
应用程序。这些装置已被表征
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
低
R
DS （ ON）
和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC损失
转换器和电机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制，快速开关，便于
和并联电温度稳定性
参数。
SMD-2
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
75*
75*
300
250
2.0
±20
500
75
25
4.4
-55到150
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
g
www.irf.com
1
10/19/11
