IXDD504 / IXDE504
电气特性@温度超过-55
o
C至125
o
C
(3)
除非另有说明， 4.5V
≤
V
CC
≤
30V ， TJ < 150
o
C
所有电压测量相对于GND 。 IXD_504配置为在所述的
测试条件。
所有规格的一个通道。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
DC
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
t
ENOH
t
多尔德
V
CC
I
HIOL
I
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
高输出状态
阻力
低态输出
阻力
连续输出电流
上升时间
下降时间
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
民
3
典型值
最大
单位
V
0.8
-5
V
CC
+ 0.3
10
0.025
-10
V
CC
- 0.025
V
V
A
V
V
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
A
A
mA
mA
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
V
CC
= 18V ，我
OUT
= 10毫安
V
CC
= 18V ，我
OUT
= 10毫安
3
2.5
1
C
负载
= 1000pF的V
CC
=18V
C
负载
= 1000pF的V
CC
=18V
10
9
23
32
60
120
4.5
18
30
200
150
3
150
导通时间传输延迟
负载
= 1000pF的V
CC
=18V
关闭时间传播延迟
负载
= 1000pF的V
CC
=18V
能到输出高
延迟时间
禁用于高阻抗
状态延迟时间
电源电压
高阻抗状态
V
CC
= 18V ，温度。 = 125°C
输出漏
V
CC
= 18V, V
IN
= 0V
V
IN
= 3.5V
电源电流
V
IN
= V
CC
注意事项：
1.经营超出列为“绝对最大额定值”参数中的设备可能会造成永久性
损坏设备。长期在绝对最大额定条件下长时间工作会影响器件
可靠性。
2.该设备不是要的工作额定值以外运行。
提供3电气特性与规定的测试条件有关。
4.典型的值在以通信设备如何被预期执行，但不一定
突出于该装置所保证的功能的任何具体的性能极限。
1）
θ
J- á
（典型值）被定义为结点到环境。该
θ
J- á
标准的单芯片8引脚PDIP和8引脚SOIC都是由占主导地位
封装的电阻，并且IXD_5XX是典型的。这些包的值是自然对流数值与垂直板
和的值将是较低的，强制对流。对于8引脚DFN封装，
θ
J- á
值设DFN封装焊接
在PCB上。该
θ
J- á
（典型值） 200
°
下用PCB上没有特别规定/ W ，但由于中心垫提供了低热阻
至模，很容易降低
θ
J- á
通过在PCB上增加连接的铜焊盘或迹线。这些可以减少
θ
J- á
（典型值） 125
°
C / W
容易，并且可能甚至更低。该
θ
J- á
对于DFN PCB上没有散热片或散热管理与规模显著变化，
建设，设计，材料等这种典型的范围内告诉用户什么，他很可能会得到，如果他不无热管理。
2)
θ
J-
（最大）被定义为juction到外壳，其中，壳体是DFN封装背面的大垫。该
θ
J-
值通常是不
公布了PDIP和SOIC封装。该
θ
J-
为DFN封装是很重要的，以显示从连接处的热阻低，以
管芯附着焊盘上的DFN的后面， - 和一个保护频带已被添加到安全。
3）
θ
-S
（典型值）被定义为结到散热片，其中， DFN封装焊接到被安装在散热片的热衬底。
因为存在着多种热基底的值必须是典型的。基于容易获得IMS在此值计算
美国或欧洲，而不是一个高级日本的IMS 。一个4密耳dialectric用2.2W / MC的热导率被假定。其结果是
作为典型，并指示用户所期望的一个典型的IMS基板上，并显示了潜在的低热阻
DFN封装。
2007 IXYS公司保留所有权利
*
下列注意事项是为了定义的条件
θ
J- á
,
θ
J-
和
θ
-S
价值观：
4
