电气规格（ DC ）
在推荐的温度（T
A
= 0℃至70℃ ），除非另有说明。见注13 。
参数
当前
传输比
符号设备
CTR
分钟。
TYP 。 *
24
24
0.1
0.1
0.003
0.01
50
0.02
马克斯。
50
单位测试条件
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
A
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
V
O
= 0.4 V
V
O
= 0.5 V
I
O
= 3.0毫安
I
O
= 2.4毫安
图。
I
F
= 16毫安， 1，2，
V
CC
= 4.5 V 4
I
F
= 16毫安，
V
CC
= 4.5 V
7
记
5
逻辑低
V
OL
输出电压
逻辑高
I
OH
输出电流
逻辑低
I
CCL
电源电流
逻辑高
I
CCH
电源电流
输入正向
HCPL -三分之四千五百零二19
HCPL - 0452 / 3 15
HCNW4502/3
HCPL-4502/3
HCPL-0452/3
HCNW4502/3
0.4
0.5
0.5
1
50
200
1
2
1.7
1.8
1.85
1.95
A
A
V
F
8引脚DIP
电压SO- 8
宽体
1.45
1.35
5
3
1.5
1.68
V
V
O
= V
CC
= 5.5 V I
F
= 0毫安
V
O
= V
CC
= 15 V
V
O
= V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时， V
O
=开，
V
CC
= 15 V
T
A
= 25 ° C I
F
= 16毫安，
V
O
=开，
V
CC
= 15 V
T
A
= 25 ° C I
F
= 16毫安
T
A
= 25°C
I
F
= 16毫安
10
10
3
输入反向
击穿
电压
温度
对COEF网络cient
正向电压
AGE
输入
电容
晶体管直流
电流增益
BV
R
8引脚DIP
SO-8
宽体
8引脚DIP
SO-8
宽体
8引脚DIP
SO-8
宽体
8引脚DIP
SO-8
宽体
V
I
R
= 10 A
V
F
/
T
A
C
IN
-1.6
-1.9
60
90
150
130
180
160
I
R
= 100
A
毫伏/ ° C I
F
= 16毫安
pF
F = 1MHz时， V
F
= 0 V
h
FE
V
O
= 5 V，I
O
= 3毫安
V
O
= 0.4 V，I
B
= 20 A
V
O
= 0.4 V，I
B
= 20 A
V
O
= 5 V，I
O
= 3毫安
*所有标准结构在T
A
= 25°C.
10
