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封装特性
在推荐的温度(T
A
= 0 ° C至70 ° C) ,除非另有规定ED 。
参数
输入输出
瞬间
顶住
电压**
符号。
V
ISO
设备
8引脚DIP
SO-8
宽体
8引脚DIP
(选件020 )
分钟。
3750
5000
5000
TYP 。 *
马克斯。
单位
V有效值
测试条件
RH < 50%
吨= 1分钟,
T
A
= 25°C
图。
记
6, 14
6, 15
6, 12,
15
I
我-O
8引脚DIP
1
A
45 %RH下,吨= 5秒,
V
我-O
= 3 KVDC ,
T
A
= 25°C
V
我-O
= 500 VDC
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
6, 16
输入输出
阻力
R
我-O
8引脚DIP
SO-8
宽体
10
12
10
11
10
12
10
13
0.6
0.5
0.6
Ω
6
输入输出
电容
C
我-O
8引脚DIP
SO-8
宽体
pF
F = 1 MHz的
6
*所有标准结构在T
A
= 25°C.
**该输入 - 输出瞬时耐压是电介质的额定电压不应该被解释为输入 - 输出连续
额定电压。对于连续额定电压参考IEC / EN / DIN EN 60747-5-2绝缘特性相关表(如适用) ,你的
装备水平的安全规范或Avago的应用笔记1074题为“光耦输入 - 输出耐压, ”出版号
5963-2203E.
注意事项:
1.线性降额超过70 ℃的自由空气的温度为0.8毫安/ ° C( 8引脚DIP )的速度。
线性降额超过85 ℃的自由空气的温度为0.5 mA的速度/ ° C( SO - 8 ) 。
2.线性降额超过70 ℃的自由空气的温度在1.6毫安/ ° C( 8引脚DIP )的速度。
线性降额超过85 ℃的自由空气的温度在1.0mA的速度/° C( SO - 8 ) 。
3.线性降额超过70 ℃的自由空气的温度为0.9毫瓦/ ° C( 8引脚DIP )的速度。
线性降额超过85 ℃的自由空气的温度为1.1毫瓦率/° C( SO - 8 ) 。
4.线性降额超过70 ℃的自由空气的温度为2.0毫瓦/ ° C( 8引脚DIP )的速度。
线性降额超过85 ℃的自由空气的温度为2.3毫瓦率/° C( SO - 8 ) 。
在百分之5的电流传输比被定义为输出集电极电流的比率,我
O
到正向LED的输入电流,我
F
,乘以100 。
6.设备认为是一个双端器件:引脚1 , 2 ,3和4短接在一起,并且销5,图6 ,图7和8短接在一起。
在逻辑高电平7.共模瞬态抗扰度是最大容许(正)DV
CM
/ dt的上的共同的前缘
模式的脉冲信号,V,以保证该输出将保持在逻辑高状态(也就是,V
O
> 2.0 V) 。在共模瞬态抗扰度
CM
逻辑低电平的最大可容忍(负)的dV
CM
/ dt的对共模脉冲信号V的后缘
CM
,以保证
输出将保持在逻辑低状态(即,V
O
< 0.8V) 。
8. 1.9 kΩ的负载表示1.6毫安1 TTL单位负载和5.6 kΩ的上拉电阻。
9. 4.1 kΩ的负载代表0.36 mA和6.1 kΩ的上拉电阻1 LSTTL单位负载。
10.频率处的交流输出电压低于它的中频值3分贝。
11. JEDEC注册为6N136指定了至少15 %的点击率。 Avago的保证了19 %的最低点击率。
12.见选件020的数据表以了解更多信息。
推荐13.使用0.1 μF旁路电容连接引脚5和8之间。
14.根据UL 1577 ,每个光耦是证明通过应用绝缘测试电压≥ 4500 V rms的1秒钟测试(泄漏
检测电流的限制,我
我-O
≤ 5 μA ) 。这个测试是在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2绝缘所示的100 %生产测试之前进行
相关特性表(如果适用) 。
15.根据UL 1577 ,每个光耦是证明通过应用绝缘测试电压≥ 6000 V rms的1秒钟测试(泄漏
检测电流的限制,我
我-O
≤ 5 μA ) 。这个测试是在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2绝缘所示的100 %生产测试之前进行
相关特性表(如果适用) 。
16.这个等级是通过一个等效交流试验证明同样有效。
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