过程
功率晶体管
CP709
中央
TM
PNP - 低饱和晶体管芯片
半导体公司
流程细节
过程
模具尺寸
模具厚度
BASE焊盘区
发射极焊盘区
顶面金属化
背面金属化
几何
PER 4英寸晶圆DIE总值
6,670
主体装置类型
CMPT7090L
CXT7090L
CZT7090L
CMXT7090L
外延平面
41.3 X 41.3 MILS
9.0 MILS
9.5× 9.2 MILS
12.8 X 10.2 MILS
艾尔 - 30,000
金 - 18,000
145亚当斯大街
Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110
传真： （ 631 ） 435-1824
www.centralsemi.com
R2 （ 12 2003年9月）
