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NTF3055-100,
NVF3055-100
功率MOSFET
3.0安培， 60伏
N沟道SOT- 223
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
3.0 A， 60 V
R
DS （ ON）
= 110毫瓦
N沟道
D
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
NVF3055100
这些器件是无铅和符合RoHS标准
应用
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
S
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
连续
不重复（T
p
≤
10毫秒）
漏电流
连续@ T
A
= 25°C
连续@ T
A
= 100°C
单脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 10 VDC ，
I
L
（ PK） = 7.0 APK， L = 3.0 mH的，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
价值
60
60
±
20
±
30
3.0
1.4
9.0
2.1
1.3
0.014
55
175
74
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
W
W
W / ℃，
°C
mJ
1
2
4
记号
图
&引脚
转让
漏
4
3
SOT223
CASE 318E
方式3
1
门
AWW
3055
G
G
2
3
漏源
I
DM
P
D
I
D
I
D
A
=大会地点
WW
=工作周
3055
=具体设备守则
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
T
J
, T
英镑
E
AS
订购信息
设备
NTF3055100T1G
包
SOT223
（无铅）
SOT223
（无铅）
SOT223
（无铅）
航运
1000 /磁带&
REEL
4000 /磁带&
REEL
1000 /磁带&
REEL
R
qJA
R
qJA
T
L
72.3
114
260
° C / W
NTF3055100T3G
°C
NVF3055100T1G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.当表面安装用1“的焊盘尺寸， 1盎司的FR4板。
（铜，面积1.127平方英寸） 。
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
尺寸， 2-2.4盎司（铜，面积0.272平方英寸） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年10月
第4版
1
出版订单号：
NTF3055100/D
