LM2734
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SNVS288I - 2004年9月 - 修订APRIIL 2013
D2
D3
V
IN
C
IN
V
IN
BOOST
LM2734
SW
GND
D1
V
BOOST
C
BOOST
L
V
OUT
C
OUT
图25.齐纳减少从V升压
IN
另一种方法是，将齐纳二极管D3的分流构造，如图
图26 。
一个小
为350mW至500mW的5.1V齐纳以SOT或SOD的封装能够被用于此目的。一个小的陶瓷
电容器，如6.3V ， 0.1μF的电容（C4 ）应放置在并联齐纳二极管。当
内部的NMOS开关导通时，一个电流脉冲被吸入到内部NMOS栅电容进行充电。该
0.1 μF并联的并联电容保证了V
BOOST
电压在这段时间内保持。
电阻R3的选择应提供足够的RMS电流的齐纳二极管（ D3 ）和所述升压销。一
对于齐纳电流推荐选择（我
齐纳
）为1毫安。目前我
BOOST
进入BOOST引脚提供的
在NMOS控制开关的栅极的电流，并且通常根据用于X版本下式而变化：
I
BOOST
= 0.56 ×（ D + 0.54 ）× （Ⅴ
齐纳
– V
D2
）毫安
(6)
(7)
I
BOOST
可以计算使用下Y版：
I
BOOST
= 0.22 ×（ D + 0.54 ）× （Ⅴ
齐纳
- V
D2
) A
其中，D为占空比，V
齐纳
和V
D2
是在伏，且予
BOOST
在毫安。 V
齐纳
时的电压施加到
所述升压二极管的正极（D 2） ，和V
D2
对面D2的平均正向电压。请注意，此公式对于
I
BOOST
给人的典型电流。为最坏的情况下，我
BOOST
，增加的电流的40％。在这种情况下，最坏的情况下
升压电流将
I
BOOST -MAX
= 1.4 ×1
BOOST
(8)
(9)
R3然后由下式给出
R3 = （V
IN
- V
齐纳
） / （ 1.4 ×1
BOOST
+ I
齐纳
)
例如，使用X-版本令V
IN
= 10V, V
齐纳
= 5V, V
D2
= 0.7V ，我
齐纳
= 1mA时，与占空比D = 50 ％ 。
然后
I
BOOST
= 0.56 ×（ 0.5 + 0.54 ）×（ 5 - 0.7 ）毫安= 2.5毫安
R3 = （ 10V - 5V ） / （ 1.4× 2.5毫安+ 1毫安） = 1.11kΩ
V
Z
(10)
(11)
C4
D3
D2
R3
V
IN
C
IN
V
IN
BOOST
LM2734
SW
GND
D1
C
OUT
VBOOST
C
BOOST
L
V
OUT
图26.升压电压的分流稳压的V提供
IN
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