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4V驱动N沟道MOSFET
RHP020N06
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
MPT3
4.5
1.6
0.5
1.5
特点
1）低导通电阻。
2 ）高速开关。
3 ）范围内的SOA 。
(1)Gate
(2)Drain
(1)
(2)
(3)
1.0
2.5
4.0
0.4
0.4
1.5
0.5
1.5
3.0
0.4
应用
开关
(3)Source
缩写符号： LR
包装规格和h
FE
包
TYPE
RHP020N06
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
T100
1000
内部电路
漏
门
2
1
来源
1
ESD保护二极管
2
体二极管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
当安装在40 40 0.7毫米陶瓷板
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
总胆固醇
TSTG
范围
60
±20
±2
±8
2
8
500
2
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
mW
W
°C
°C
2
热阻
参数
渠道环境
当安装在40 40 0.7毫米陶瓷板
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
+
+
符号
RTH （ CH -A ）
范围
250
62.5
单位
° C / W
° C / W
+
+
1/4
2009.03 - Rev.A的
