UCC27511
UCC27512
SLUSAW9D - 2012年2月 - 修订2013年5月
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电气特性
VDD = 12 V ，T
A
= T
J
= -40 ° C至140 ° C， 1μF电容， VDD和GND 。电流是积极进入，负出的
指定的终端。
参数
偏置电流
IN + = VDD ， IN- = GND
I
DD （ OFF ）
启动电流
VDD = 3.4 V
IN + IN- = = GND或+ IN = IN - = VDD
IN + = GND ， IN- = VDD
欠压锁定（ UVLO ）
V
ON
V
关闭
V
DD_H
供应启动阈值
最小工作
之后，启动电压
电源电压迟滞
输入信号高
门槛
输入信号低门槛
输出高电平IN +引脚，
输出低IN-引脚
输出低电平IN +引脚，
输出高电平IN-引脚
1.0
T
A
= 25°C
T
A
= -40 ℃至140 ℃的
3.91
3.70
3.45
0.2
4.20
4.20
3.9
0.3
4.5
4.65
4.35
0.5
V
40
25
20
100
75
60
160
145
115
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
输入端（IN + ， IN- ）
V
IN_H
V
IN_L
2.2
1.2
1.0
2.4
V
V
IN_HYS
输入信号滞后
源出/吸入电流
I
SRC / SNK
源/汇峰
当前
(1)
C
负载
= 0.22 F, F
SW
= 1千赫
-4/+8
A
输出（ OUTH ， OUTL ， OUT ）
V
DD
-
V
OH
VDD = 12 V
I
OUTH
= -10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUTH
= -10毫安
VDD = 12
I
OUTL
= 10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUTL
= 10毫安
VDD = 12 V
I
OUTH
= -10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUTH
= -10毫安
VDD = 12 V
I
OUTL
= 10毫安
VDD = 4.5 V
I
OUTL
= 10毫安
50
60
5
5.5
5.0
5.0
0.375
0.45
90
130
mV
6.5
10
7.5
11.0
Ω
0.650
0.750
高输出电压
V
OL
低输出电压
R
OH
输出上拉
阻力
(2)
R
OL
输出下拉
阻力
(1)
(2)
由设计保证。
R
OH
表示的导通电阻的P沟道MOSFET的UCC27511和UCC27512的输出级的拉结构。
6
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