位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第67页 > UCC27322DGNRG4 > UCC27322DGNRG4 PDF资料 > UCC27322DGNRG4 PDF资料4第8页

UCC27321 , UCC27322
UCC37321 , UCC37322
SLUS504G - 2002年9月 - 修订2013年5月
www.ti.com
该电路在
图4
被用来测试该电流源能力与输出钳位到大约5伏以
串齐纳二极管。该UCC37321发现源9的在V
DD
= 15 V.
VDD
UCC37321
输入
1
VDD DD
IN
2
OUT
3
ENBL
6
V
OUT
7
C2
1
μ
F
C3
100
μF
4.5 V
D
ADJ
8
D
肖特基
4
AGND
保护地5
V
SNS
R
SNS
0.1
1
μ
F
CER
100
μF
EL AL
UDG- 01114
-
图4.源电流测试电路
但是应当注意的是,电流吸收能力比电流源能力略强于下
VDD 。这是由于在双极MOSFET功率输出段的结构,其中,所述差异
电流源是一个P-沟道MOSFET和电流吸收器具有一个N沟道MOSFET 。
在绝大多数的应用中,有利的是一个驱动器的关断能力比强
导通能力。这有助于确保在MOSFET是在公共供电瞬变保持关
它可以打开设备再打开。
运算电路布局
它可以是一个显著挑战,以避免可能出现由电路中的过冲/下冲和振铃问题
这些驱动器的布局。低阻抗和它们的高di / dt可诱发寄生电感之间的振铃
并且在电路中的电容。悉心照顾必须在电路设计中使用。
在一般情况下,定位驱动器物理上尽可能靠近其作为可能的负载。放置一个1μF旁路电容尽量靠近
到驱动器作为可能的输出端,它连接到管脚1和8连接两个之间的单个跟踪
VDD引脚(引脚1和8 ) ;连接PGND和AGND (引脚5和引脚4 )之间的一个跟踪。如果接地
平面的情况下,它可以被连接到AGND ;不延伸包装的输出侧下方的平面
(引脚5 - 8 ) 。负载连接到两个输出引脚(引脚7和6)用一个跟踪相邻层的上
组件层;路线上的分量侧的输出的返回电流路径,直接在输出
路径。
极端条件下,可能需要去耦的输出功率与输入功率和接地连接和
接地连接。该UCCx7321 / 2有一个功能,可以让用户采取这些极端措施,如果
有必要的。有少量的约15内部阻抗的
Ω
之间的AGND和PGND引脚;
也有少量的阻抗(约30
Ω)
两者之间的VDD端子。为了利用这
功能,连接VDD和GND之间的1μF旁路电容(引脚5和8) ,并连接一个0.1 μF旁路
VDD和AGND之间的电容(引脚1和4)。进一步的去耦可以通过之间的连接来实现
两个VDD引脚跳线穿过一个40 MHz的铁氧体磁珠和连接偏压功率只有8脚。
更解耦可以通过AGND和PGND之间连接有一对反并联来实现
二极管(阳极连接到正极和负极连接到阳极) 。
8
提交文档反馈
版权所有 2002至13年,德州仪器
产品文件夹链接:
UCC27321 UCC27322 UCC37321 UCC37322