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NTD20N06L ， NTDV20N06L
功率MOSFET
20安培， 60伏
逻辑电平， N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
典型值
39 mW@5.0 V
I
D
最大
20 A
（注1 ）
AEC Q101标准
NTDV20N06L
这些器件是无铅和符合RoHS标准
典型应用
N沟道
D
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
等级
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
价值
60
60
"15
"20
20
10
60
60
0.40
1.88
1.36
55
to
+175
128
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
mJ
1
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
2.5
80
110
260
° C / W
4
单位
VDC
VDC
VDC
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
连续
不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
连续@ T
A
= 25°C
连续@ T
A
= 100°C
单脉冲（T
p
v10
女士）
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
20
N6LG
4
漏
DPAK
CASE 369D
（直引线）
方式2
2
3
1 2 3
门漏源
YWW
20
N6LG
4
1 2
DPAK
CASE 369C
（表面贴装）
方式2
I
DM
P
D
3
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，
L = 1.0 mH的，我
L
（PK ）= 16 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
结到外壳
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的，在1/8的情况下，从10秒
2
1
3
漏
门
来源
T
J
, T
英镑
E
AS
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.当表面安装用1焊盘尺寸， （铜面积1.127在FR4板
2
).
2.表面安装使用推荐的焊盘尺寸的FR4板，
在（铜面积0.412
2
).
Y
WW
20N6L
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年10月
第3版
1
出版订单号：
NTD20N06L/D
