TMP01
最后一堂课的高功率器件这里讨论
闸流管，它包括的SCR和三端双向可控硅。双向晶闸管是一个有用的
替代继电器开关AC线电压。该2N6073A
在图21中所示的额定处理4A （有效值） 。该光耦
隔离MOC3011可控硅具有出色的电气隔离
从嘈杂的交流线，并完全控制了高功率
三端双向可控硅只有几个附加组件。
1
R1
2
R2
3
R3
4
迟滞
发电机
5 NC
窗口
比较
6
VREF
温度
传感器和
电压
参考
VPTAT
8
负载
300
7 NC
1
2
3
6 150
V+ = 5V
AC
因此，从Q2的集电极而采取的输出是相同
到TMP01的输出。通过选择一个晶体管，可以
容纳大量电流，许多高功率
设备可以切换。
VREF
温度
传感器和VPTAT
电压
参考
V+
4.7k
7
窗口
比较
3
R3
4
迟滞
发电机
5
6
I
C
2N1711
1
R1
2
R2
8
Q1
4
2N6073A
TMP01
图22.外部电阻减小自加热
00333-021
TMP01
NC =无连接
1
R1
2
R2
3
R3
4
VREF
图21.控制2N6073A可控硅
温度
传感器和VPTAT
电压
参考
8
V+
4.7k
4.7k
I
C
2N1711
大电流开关
内部耗散由于对TMP01输出大负荷
导致某些温度误差由于自加热。外
晶体管从TMP01除去负荷，所以，实际上
没有功率被消耗在内部晶体管和不自
加热发生。图22至图24显示了几个
使用外部晶体管的例子。最简单的情况下，使用一
在输出单晶体管反转的输出信号为
如图22所示。当TMP01的开路集电极
打开和将输出下降，外部晶体管Q1
基被拉到低电平，使晶体管。另一个晶体管
可以添加到reinvert的信号，如图23所示。现在，
当TMP01的输出被下拉，所述第一晶体管
器， Q1 ，关闭，其集电极为高电平，其Q2导通时，
拉其集电极低。
7
窗口
比较
6
2N1711
Q1
Q2
TMP01
图23.第二个晶体管保持TMP01输出的极性
较高的功率晶体管的一个例子是一个标准的达林顿
的结构如图24所示。所选择的部分， TIP- 110 ，
可以处理2连续是绰绰有余
控制多大功率继电器。事实上，达林顿本身
可以用作开关，类似于MOSFET和IGBT 。
12V
接力
汽车
开关
I
C
8
V+
TIP-110
4.7k
7
窗口
比较
3
R3
4
迟滞
发电机
5
6
4.7k
2N1711
1
R1
2
R2
VREF
温度
传感器和VPTAT
电压
参考
TMP01
图24.达林顿晶体管能够处理大电流
修订版E |第12页20
00333-024
00333-023
迟滞
发电机
5
00333-022
MOC9011
5
